Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами

Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К до и после низк...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Published in:	Физика низких температур
Date:	2013
Main Authors:	Гудина, С.В., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Якунин, М.В.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Subjects:	Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках
Online Access:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118300
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:	Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 4. — С. 481–485. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118300
record_format	dspace
spelling	Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. 2017-05-29T16:14:19Z 2017-05-29T16:14:19Z 2013 Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 4. — С. 481–485. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.Qt https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118300 Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Появление положительной остаточной фотопроводимости приводит к изменению характера температурной зависимости сопротивления с «диэлектрического» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металлический» (dρ/dT > 0) при более высоких температурах. Показано, что это связано с появлением температурной зависимости концентрации носителей заряда. Подвижность носителей, имевшая сильную зависимость от температуры до подсветки, после воздействия инфракрасным излучением практически не зависит от температуры. Експериментально досліджено подовжній ρxx(B) та холлівський ρxy(B) магнітоопір в перпендикулярному площині зразка магнітному полі в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними сильно пов'язаними квантовими ямами в діапазоні магнітних полів B = 0–16 Tл та температур T = 0,05–60 К до та після низькотемпературного підсвічування інфрачервоним випромінюванням. Поява позитивної залишкової фотопровідності призводить до зміни характеру температурної залежності опору з «діелектричного» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металевий» (dρ/dT > 0) при більш високих температурах. Показано, що це пов'язано з появою температурної залежності концентрації носіїв заряду. Рухливість носіїв, що мала сильну залежність від температури до підсвічування, після впливу інфрачервоного випромінювання практично не залежить від температури. Longitudinal ρxx(B) and Hall ρxy(B) magnetoresistances are measured as a function of transverse magnetic field in n-InGaAs/GaAs nanostructures with strongly- coupled double quantum wells in the temperature range T = 0.05–60 K and magnetic fields B = 0–16 T before and after low-temperature infrared irradiation. The appearance of persistent photoconductivity causes the type of the temperature dependence of resistance to be changed: from insulator-like (dρ/dT < 0) for T ≤ 8 K to metallic-like (dρ/dT > 0) at higher temperatures. It is shown that this is connected with the temperature dependence of electron density. The strong temperature dependence of electron mobility observed before the illumination practically disappears after infrared irradiation. Работа поддержана РФФИ: грант № 11-02-00427 и Программой президиума РАН 12-П-2-1051. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells Article published earlier
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
title	Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
spellingShingle	Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках
title_short	Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
title_full	Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
title_fullStr	Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
title_full_unstemmed	Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
title_sort	влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-ingaas/gaas с двумя сильно связанными квантовыми ямами
author	Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В.
author_facet	Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В.
topic	Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках
topic_facet	Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках
publishDate	2013
language	Russian
container_title	Физика низких температур
publisher	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
format	Article
title_alt	The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
description	Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Появление положительной остаточной фотопроводимости приводит к изменению характера температурной зависимости сопротивления с «диэлектрического» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металлический» (dρ/dT > 0) при более высоких температурах. Показано, что это связано с появлением температурной зависимости концентрации носителей заряда. Подвижность носителей, имевшая сильную зависимость от температуры до подсветки, после воздействия инфракрасным излучением практически не зависит от температуры. Експериментально досліджено подовжній ρxx(B) та холлівський ρxy(B) магнітоопір в перпендикулярному площині зразка магнітному полі в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними сильно пов'язаними квантовими ямами в діапазоні магнітних полів B = 0–16 Tл та температур T = 0,05–60 К до та після низькотемпературного підсвічування інфрачервоним випромінюванням. Поява позитивної залишкової фотопровідності призводить до зміни характеру температурної залежності опору з «діелектричного» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металевий» (dρ/dT > 0) при більш високих температурах. Показано, що це пов'язано з появою температурної залежності концентрації носіїв заряду. Рухливість носіїв, що мала сильну залежність від температури до підсвічування, після впливу інфрачервоного випромінювання практично не залежить від температури. Longitudinal ρxx(B) and Hall ρxy(B) magnetoresistances are measured as a function of transverse magnetic field in n-InGaAs/GaAs nanostructures with strongly- coupled double quantum wells in the temperature range T = 0.05–60 K and magnetic fields B = 0–16 T before and after low-temperature infrared irradiation. The appearance of persistent photoconductivity causes the type of the temperature dependence of resistance to be changed: from insulator-like (dρ/dT < 0) for T ≤ 8 K to metallic-like (dρ/dT > 0) at higher temperatures. It is shown that this is connected with the temperature dependence of electron density. The strong temperature dependence of electron mobility observed before the illumination practically disappears after infrared irradiation.
issn	0132-6414
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118300
citation_txt	Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 4. — С. 481–485. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.
work_keys_str_mv	AT gudinasv vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyimagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT arapovûg vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyimagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT neverovvn vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyimagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT podgornyhsm vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyimagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT âkuninmv vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyimagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT gudinasv theeffectofinfraredilluminationonquantummagnetotransportinstronglycoupledningaasgaasdoublequantumwells AT arapovûg theeffectofinfraredilluminationonquantummagnetotransportinstronglycoupledningaasgaasdoublequantumwells AT neverovvn theeffectofinfraredilluminationonquantummagnetotransportinstronglycoupledningaasgaasdoublequantumwells AT podgornyhsm theeffectofinfraredilluminationonquantummagnetotransportinstronglycoupledningaasgaasdoublequantumwells AT âkuninmv theeffectofinfraredilluminationonquantummagnetotransportinstronglycoupledningaasgaasdoublequantumwells
first_indexed	2025-12-07T18:51:14Z
last_indexed	2025-12-07T18:51:14Z
_version_	1850876598031482880

Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами

Institution

Similar Items