Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами
Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К
 до и по...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118300 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние инфракрасного излучения на квантовый
 магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs
 с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 4. — С. 481–485. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862724990670995456 |
|---|---|
| author | Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. |
| author_facet | Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. |
| citation_txt | Влияние инфракрасного излучения на квантовый
 магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs
 с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 4. — С. 481–485. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К
до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Появление положительной остаточной фотопроводимости приводит к изменению характера температурной зависимости сопротивления
с «диэлектрического» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металлический» (dρ/dT > 0) при более высоких температурах. Показано, что это связано с появлением температурной зависимости концентрации носителей
заряда. Подвижность носителей, имевшая сильную зависимость от температуры до подсветки, после воздействия инфракрасным излучением практически не зависит от температуры.
Експериментально досліджено подовжній ρxx(B) та холлівський ρxy(B) магнітоопір в перпендикулярному площині зразка магнітному полі в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними сильно пов'язаними
квантовими ямами в діапазоні магнітних полів B = 0–16 Tл та температур T = 0,05–60 К до та після низькотемпературного підсвічування інфрачервоним випромінюванням. Поява позитивної залишкової фотопровідності призводить до зміни характеру температурної залежності опору з «діелектричного» (dρ/dT < 0)
при T ≤ 8 К на «металевий» (dρ/dT > 0) при більш високих температурах. Показано, що це пов'язано з появою температурної залежності концентрації носіїв заряду. Рухливість носіїв, що мала сильну залежність
від температури до підсвічування, після впливу інфрачервоного випромінювання практично не залежить
від температури.
Longitudinal ρxx(B) and Hall ρxy(B) magnetoresistances
are measured as a function of transverse magnetic
field in n-InGaAs/GaAs nanostructures with strongly-
coupled double quantum wells in the temperature
range T = 0.05–60 K and magnetic fields B = 0–16 T
before and after low-temperature infrared irradiation.
The appearance of persistent photoconductivity causes
the type of the temperature dependence of resistance
to be changed: from insulator-like (dρ/dT < 0) for
T ≤ 8 K to metallic-like (dρ/dT > 0) at higher temperatures.
It is shown that this is connected with the temperature
dependence of electron density. The strong
temperature dependence of electron mobility observed
before the illumination practically disappears after infrared
irradiation.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:51:14Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118300 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:51:14Z |
| publishDate | 2013 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. 2017-05-29T16:14:19Z 2017-05-29T16:14:19Z 2013 Влияние инфракрасного излучения на квантовый
 магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs
 с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 4. — С. 481–485. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.21.Fg, 73.40.–c, 73.43.Qt https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118300 Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К
 до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Появление положительной остаточной фотопроводимости приводит к изменению характера температурной зависимости сопротивления
 с «диэлектрического» (dρ/dT < 0) при T ≤ 8 К на «металлический» (dρ/dT > 0) при более высоких температурах. Показано, что это связано с появлением температурной зависимости концентрации носителей
 заряда. Подвижность носителей, имевшая сильную зависимость от температуры до подсветки, после воздействия инфракрасным излучением практически не зависит от температуры. Експериментально досліджено подовжній ρxx(B) та холлівський ρxy(B) магнітоопір в перпендикулярному площині зразка магнітному полі в наноструктурах n-InGaAs/GaAs з подвійними сильно пов'язаними
 квантовими ямами в діапазоні магнітних полів B = 0–16 Tл та температур T = 0,05–60 К до та після низькотемпературного підсвічування інфрачервоним випромінюванням. Поява позитивної залишкової фотопровідності призводить до зміни характеру температурної залежності опору з «діелектричного» (dρ/dT < 0)
 при T ≤ 8 К на «металевий» (dρ/dT > 0) при більш високих температурах. Показано, що це пов'язано з появою температурної залежності концентрації носіїв заряду. Рухливість носіїв, що мала сильну залежність
 від температури до підсвічування, після впливу інфрачервоного випромінювання практично не залежить
 від температури. Longitudinal ρxx(B) and Hall ρxy(B) magnetoresistances
 are measured as a function of transverse magnetic
 field in n-InGaAs/GaAs nanostructures with strongly-
 coupled double quantum wells in the temperature
 range T = 0.05–60 K and magnetic fields B = 0–16 T
 before and after low-temperature infrared irradiation.
 The appearance of persistent photoconductivity causes
 the type of the temperature dependence of resistance
 to be changed: from insulator-like (dρ/dT < 0) for
 T ≤ 8 K to metallic-like (dρ/dT > 0) at higher temperatures.
 It is shown that this is connected with the temperature
 dependence of electron density. The strong
 temperature dependence of electron mobility observed
 before the illumination practically disappears after infrared
 irradiation. Работа поддержана РФФИ: грант № 11-02-00427 и
 Программой президиума РАН 12-П-2-1051. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells Article published earlier |
| spellingShingle | Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами Гудина, С.В. Арапов, Ю.Г. Неверов, В.Н. Подгорных, С.М. Якунин, М.В. Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках |
| title | Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами |
| title_alt | The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells |
| title_full | Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами |
| title_fullStr | Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами |
| title_full_unstemmed | Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами |
| title_short | Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами |
| title_sort | влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-ingaas/gaas с двумя сильно связанными квантовыми ямами |
| topic | Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках |
| topic_facet | Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118300 |
| work_keys_str_mv | AT gudinasv vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyimagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT arapovûg vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyimagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT neverovvn vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyimagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT podgornyhsm vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyimagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT âkuninmv vliânieinfrakrasnogoizlučeniânakvantovyimagnitotransportvstrukturahningaasgaassdvumâsilʹnosvâzannymikvantovymiâmami AT gudinasv theeffectofinfraredilluminationonquantummagnetotransportinstronglycoupledningaasgaasdoublequantumwells AT arapovûg theeffectofinfraredilluminationonquantummagnetotransportinstronglycoupledningaasgaasdoublequantumwells AT neverovvn theeffectofinfraredilluminationonquantummagnetotransportinstronglycoupledningaasgaasdoublequantumwells AT podgornyhsm theeffectofinfraredilluminationonquantummagnetotransportinstronglycoupledningaasgaasdoublequantumwells AT âkuninmv theeffectofinfraredilluminationonquantummagnetotransportinstronglycoupledningaasgaasdoublequantumwells |