Buchumschlag

Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами

Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К до и по...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика низких температур
Datum:	2013
Hauptverfasser:	Гудина, С.В., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Якунин, М.В.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
Schlagworte:	Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118300
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 4. — С. 481–485. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Особенности магнитотранспорта в гетероструктурах с селективно легированными квантовыми ямами
von: Вайнберг, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины
von: Беркутов, И.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: Iliash, S.A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
von: Круковский, С.И.
Veröffentlicht: (2002)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
von: A. P. Savelev, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
von: S. A. Iliash, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
von: Zhuchenko, Z.Ya., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
von: Николаенко, Ю.Е., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
von: Masselink, W.T., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Magnetooptics of heterostructures with InGaAs/GaAs quantum well and a ferromagnetic Mn deltalayer
von: S. V. Zajtsev
Veröffentlicht: (2012)

Квантовая эффективность резонансного InGaAs/GaAs фотодетектора для сверхкоротких оптических соединений
von: Грищенко, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
von: A. P. Savelyev, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: M. M. Vinoslavskii, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vinoslavskii, M.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Temperature dependence of quantum lifetime in n-InGaAs/GaAs structures with double stronglycoupled quantum wells
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Quantum magnetotransport in n-InGaAs/GaAs structures under change of electron density by infrared illumination
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

The effect of infrared illumination on quantum magnetotransport in strongly coupled n-InGaAs/GaAs double quantum wells
von: S. V. Gudina, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Temperature dependence of band width of delocalized states for n-InGaAs/GaAs in the quantum Hall effect regime
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Влияние давления на псевдощель в Bi2223: купраты не являются сильно связанными сверхпроводниками
von: Дьяченко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)

The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
von: M. N. Vinoslavskij, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
von: Ju. G. Arapov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Опытные наблюдения с охлаждаемой фотометрической головкой на базе фотоумножителя с InGaAs-фотокатодом
von: Видьмаченко, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2000)

О природе низкотемпературной аномалии динамических модулей упругости в кубических кристаллах AIIBVI с примесями 3d-переходных металлов
von: Лончаков, А.Т.
Veröffentlicht: (2011)

Аномалии температурной зависимости вклада в скорость звука от гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Magnetopolaronic effects in electron transport through a single-level vibrating quantum dot
von: Skorobagatko, G.A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Факторы Холла и магнитосопротивления в монокристалле Bi₀,₈₈Sb₀,₁₂, легированном Te
von: Гасанова, Х.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Deuteration effects in the thermal conductivity of molecular glasses
von: Krivchikov, A.I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Dielectric properties of (CuO,CaO₂, and BaO)y/CuTl-1223 composites
von: Mumtaz, M., et al.
Veröffentlicht: (2013)