Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2013
• ISSN: 0132-6414
• Hauptverfasser: Гудина, С.В., Арапов, Ю.Г., Неверов, В.Н., Подгорных, С.М., Якунин, М.В.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
• Schlagworte: Квантовые эффекты в полупроводниках и диэлектриках
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118300
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Влияние инфракрасного излучения на квантовый
 магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs
 с двумя сильно связанными квантовыми ямами / С.В. Гудина, Ю.Г. Арапов, В.Н. Неверов, С.М. Подгорных, М.В. Якунин // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 4. — С. 481–485. — Бібліогр.: 12 назв. — рос.

Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0–16 Tл и температур T = 0,05–60 К
 до и по...