Зображення обкладинки

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs

We present a setup and procedure of studying p-n junction to case thermal resistance in high-power light-emitting diodes (LEDs) from their thermal relaxation. A set of LEDs mounted on a metal-core printed circuit board (MCPCB) were studied. The contributions to the total t...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2012
Автори:	Sorokin, V.M., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Zinovchuk, A.V., Bigun, R.I., Kudryk, R.Ya., Shynkarenko, V.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118301
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs / V.M. Sorokin, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Zinovchuk, R.I. Bigun, R.Ya. Kudryk, V.V. Shynkarenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 2. — С. 124-128. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2012)

Degradation processes in LED modules
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Degradation processes in LED modules
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2016)

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2011)

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Properties of original and irradiated phosphide-gallium LEDs
за авторством: M. Y. Chumak, та інші
Опубліковано: (2024)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2014)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
за авторством: Kudryk, Ya. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Optical approach to analysis of interaction of gallium nitride and weak magnetic fields
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)

A universal automated complex for control and diagnostics of semiconductor devices and structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2019)

Plasma etching of gallium nitride based heterostructures in production of optoelectronic devices
за авторством: S. V. Dudin
Опубліковано: (2006)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)

Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)

Investigation of electrical c haracteristics of heteroepitaxial structures as a function of microrelief and manufacturing technology features
за авторством: Dmitruk, N.L., та інші
Опубліковано: (2005)

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017)

Spectroscopic studies of RF discharge plasma at plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures
за авторством: V. V. Hladkovskiy, та інші
Опубліковано: (2017)

Full Text Search Setup on a Website
за авторством: G. V. Khodyakova, та інші
Опубліковано: (2021)

Development and investigation of microwave radiation sources and detector sections using SBDs within the 220–400 GHz frequency range
за авторством: Zorenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Low background scintillation setup to investigate radiopurity of materials
за авторством: Kasperovych, D.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Setup and calibration of the radiorefractometer for measurement of the atmospheric refractive index
за авторством: V. A. Kabanov
Опубліковано: (2016)

Nick Holonyak and LED technologies
за авторством: Ya. Dovhyi
Опубліковано: (2014)

Optimization of technological parameters of ohmic contact junctions for GaAs-AlGaAs-based transistor structures
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2002)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Fluctuations of piezoelectric polarization in III-nitride quantum wells
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Fluctuations of piezoelectric polarization in III-nitride quantum wells
за авторством: A. V. Zinovchuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2013)

Измерения ВАХ импульсных кремниевых ЛПД на участке лавинного пробоя
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2009)

Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Development of modeling methods and algorithm for calculating the current-voltage characteristics of LED modules
за авторством: Shynkarenko, V.V.
Опубліковано: (2015)

Development of modeling methods and algorithm for calculating the current-voltage characteristics of LED modules
за авторством: V. V. Shynkarenko
Опубліковано: (2015)

Development of modeling methods and algorithm for calculating the current-voltage characteristics of LED modules
за авторством: Shynkarenko, V.V.
Опубліковано: (2015)

A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)