Baranskii, P., & Gaidar, G. (2012). Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Baranskii, P.I, та G.P Gaidar. Peculiarities of Thermoannealing in N-Si and N-Ge Crystals with Oxygen Impurity. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2012.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Baranskii, P.I, та G.P Gaidar. Peculiarities of Thermoannealing in N-Si and N-Ge Crystals with Oxygen Impurity. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2012.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.