Baranskii, P., & Gaidar, G. (2012). Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Baranskii, P.I, und G.P Gaidar. "Peculiarities of Thermoannealing in N-Si and N-Ge Crystals with Oxygen Impurity." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2012.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Baranskii, P.I, und G.P Gaidar. "Peculiarities of Thermoannealing in N-Si and N-Ge Crystals with Oxygen Impurity." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012.
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