Baranskii, P., & Gaidar, G. (2012). Peculiarities of thermoannealing in n-Si and n-Ge crystals with oxygen impurity. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Baranskii, P.I, та G.P Gaidar. "Peculiarities of Thermoannealing in N-Si and N-Ge Crystals with Oxygen Impurity." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2012.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Baranskii, P.I, та G.P Gaidar. "Peculiarities of Thermoannealing in N-Si and N-Ge Crystals with Oxygen Impurity." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2012.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.