Зображення обкладинки

Electrophysical characteristics of large-size αSi-Si(Li) detector heterostructures

Electrophysical properties of large-size detector heterostructures based on a αSi-Si(Li) have been investigated in this paper. The results prove that these detector heterostructures are more effective as compared to the structures obtained using the conventional diffusion technique. One can certa...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2012
Автори:	Muminov, R.A., Saymbetov, A.K., Toshmurodov, Yo.K.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118318
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Electrophysical characteristics of large-size αSi-Si(Li) detector heterostructures / R.A. Muminov, A.K. Saymbetov, Yo.K. Toshmurodov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 3. — С. 285-287. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Electrophysical characteristics of large-size aSi-Si(Li) detector heterostructures
за авторством: R. A. Muminov, та інші
Опубліковано: (2012)

The effect of size of the SiC inclusions in the AlN–SiC composite structure on its electrophysical properties
за авторством: T. B. Serbeniuk, та інші
Опубліковано: (2016)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)

Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vinichenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Optical and electrophysical properties of 95% In2O3 + 5% SnO2/ns-Si heterostructure
за авторством: V. A. Vynychenko, та інші
Опубліковано: (2016)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)

Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Properties of SiGe/Si heterostructures fabricated by ion implantation technique
за авторством: Gomeniuk, Y.V., та інші
Опубліковано: (1999)

Effect of the charge state of traps on the transport current in the SiC/Si heterostructure
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2000)

The optical spectrum memory in a p-CdTe-SiO2-Si film heterostructure
за авторством: N. Alimov, та інші
Опубліковано: (2009)

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2012)

Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: Sizov, F.F., та інші
Опубліковано: (2012)

Narrow-gap piezoelectric heterostructure as IR detector
за авторством: F. F. Sizov, та інші
Опубліковано: (2012)

Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
за авторством: Yu. Yu. Bacherikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Registration of the thermal neutrons using uncooled Si planar detector
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2016)

Electron structure of the equilibrium and metastable phases in superionic Li₂SiS₃
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2013)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Yu. M. Gudenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Lateral drift of photo-generated charge carriers in the p-SiGe/Si heterostructures with quantum wells
за авторством: Gudenko1, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2011)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: Lysenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

The spatial separation of electron-hole pairs in Si/Ge heterostructures
за авторством: V. S. Lysenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)

Kharkiv test platform for research and development of Si spectrometric planar detectors and detectors arrays for medical application
за авторством: Kapliy, O.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Elastic strains in SiGe heterostructures with non-uniform quantum dots
за авторством: V. V. Kuryliuk
Опубліковано: (2013)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Interference effects in the Si–Ge heterostructures with quantum wells of different width
за авторством: I. B. Berkutov, та інші
Опубліковано: (2016)

Peculiarities of changes in the structure and electrophysical characteristics of n-Si under the effect of various thermal treatment regimes
за авторством: H. P. Haidar
Опубліковано: (2020)

Phase equilibria in the ternary system Dy–Li–Si at 400 °S
за авторством: A. Stetskiv
Опубліковано: (2017)

Electrophysical properties of polymer nanocomposites on the basis of heterostructures Ag2S/CdS
за авторством: E. V. Kotenok, та інші
Опубліковано: (2012)

Synthesis and electrophysical properties of heterostructures CuS/CdS and Ag2S/CdS
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrophysical properties of heterostructures CuS/ZnS and PCTFE–CuS/ZnS system
за авторством: S. L. Prokopenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Investigation of the local structure of nanosized heterostructures Si(111)/Si3N4(0001) on the basis of computer simulation
за авторством: Yu. Tarasova, та інші
Опубліковано: (2012)

Electron structure of the equilibrium and metastable phases in superionic Li2SiS3
за авторством: D. I. Bletskan, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrophysical properties of PMN-PT-PS-PFN:Li ceramics
за авторством: Skulski, R., та інші
Опубліковано: (2013)

On the opportunity of β-radiation detection by SI detectors in the Chernobyl failure area
за авторством: Kulibaba, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation
за авторством: B. V. Pavlyk, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrophysical characteristics of near-surface layers in p-Si crystals with sputtered Al films and subjected to elastic deformation
за авторством: B. V. Pavlyk, та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of ultrasound treatment and dynamic (in-situ) ultrasound loading on the temperature hysteresis of electrophysical characteristics in irradiated n-Si–Fz
за авторством: Babych, V.М., та інші
Опубліковано: (2009)

The injection photo diode on the basis of nSi-nCdS-n+CdS heterostructures
за авторством: I. B. Sapaev
Опубліковано: (2013)