Complex index of refraction of indium nitride InN
We have investigated the complex index of refraction of Indium Nitride (InN).
 We obtained refractive index which has the maximum value 2.59 at the photon energy
 5.30 eV, the extinction coefficient which has the maximum value 0.86 at the photon
 energy 5.30 eV, the dielectri...
Збережено в:
| Опубліковано в: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| ISSN: | 1560-8034 |
| Автори: | Akinlami, J.O., Bolaji, F.M. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118324 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Complex index of refraction of indium nitride InN / J.O. Akinlami, F.M. Bolaji // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 3. — С 276-280. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Complex index of refraction of indium nitride InN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012)
On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010)
Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: P. O. Sai
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. O. Sai
Опубліковано: (2016)
Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: Sai, P.O.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sai, P.O.
Опубліковано: (2016)
Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)
Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: P. O. Sai, та інші
Опубліковано: (2019)
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012)
Peculiarities of refractive index dispersion of TGS crystals
за авторством: Myshchyshyn, O.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Myshchyshyn, O.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
Natural negative refractive index media: Perspectives for complex transition metals oxides
за авторством: E. L. Fertman, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: E. L. Fertman, та інші
Опубліковано: (2011)
Особливості формування омічних контактів до n+-InN
за авторством: Sai, P. O., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sai, P. O., та інші
Опубліковано: (2019)
Method for refractive index detection for emulsion concentration
за авторством: Sihai Zhao, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sihai Zhao, та інші
Опубліковано: (2018)
Current transport through ohmic contacts to indiume nitride with high defect density
за авторством: Sai, P.O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sai, P.O., та інші
Опубліковано: (2018)
Setup and calibration of the radiorefractometer for measurement of the atmospheric refractive index
за авторством: V. A. Kabanov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. A. Kabanov
Опубліковано: (2016)
Dispersion of refractive index in thin films CdI₂ and ZnI₂
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2010)
Refractive index of ferromagnetic semiconductors in a field of coherent light beams
за авторством: Semchuk, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Semchuk, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
Imaging of complex details of refraction boundary composition
за авторством: A. O. Verpakhovskaja
Опубліковано: (2012)
за авторством: A. O. Verpakhovskaja
Опубліковано: (2012)
Method of measuring of the refractive index to control the manufacturing process of optical fibers
за авторством: A. A. Manko
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. A. Manko
Опубліковано: (2017)
Graded refraction index antireflection coatings based on silicon and titanium oxides
за авторством: Abdelhakim Mahdjoub
Опубліковано: (2007)
за авторством: Abdelhakim Mahdjoub
Опубліковано: (2007)
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Resonator methods of measuring refractive index of a transparent substance in the terahertz range
за авторством: M. I. Dzjubenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: M. I. Dzjubenko, та інші
Опубліковано: (2014)
New method for estimating the refractive index of optical materials in spectrally selective elements
за авторством: A. A. Manko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. A. Manko, та інші
Опубліковано: (2016)
Polymer-crystalline structures of cutoff type with homogeneous layers of high refraction index
за авторством: Belayeva, A.I., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Belayeva, A.I., та інші
Опубліковано: (2004)
New method for estimating the refractive index of optical materials in spectrally selective elements
за авторством: Manko, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Manko, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Forming an image of complex parts of the structure of the refracting boundary
за авторством: Verpahovskaya, A. O.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Verpahovskaya, A. O.
Опубліковано: (2012)
The Rahman-Nat diffraction on a thin laser-induced grating of the refractive index in semiconductors
за авторством: Semchuk, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Semchuk, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
Determination of refractive index dispersion and thickness of thin antireflection films TiO₂ and Si₃N₄ on surfaces of silicon photoelectric converters
за авторством: Donets, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Donets, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Evaluation of the fundamental absorption spectrum of a material by its refractive index dispersion in the transparency range
за авторством: Andriyevsky, B.V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Andriyevsky, B.V., та інші
Опубліковано: (2004)
The first principle calculation of electronic and optical properties of AlN, GaN and InN compounds under hydrostatic pressure
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Berrah, S., та інші
Опубліковано: (2006)
Fabrication of nanostructures due to ferroelectric–antiferroelectric phase transformation. Optical materials with negative refraction index
за авторством: V. M. Ishchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: V. M. Ishchuk, та інші
Опубліковано: (2012)
Energy band gap and the refractive index for polyaniline thin films of polyaniline in thin films on polyethylene surface
за авторством: Yu. Stetsiv, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Yu. Stetsiv, та інші
Опубліковано: (2022)
Photoemission spectra of indium selenide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Index of refraction of a photonic crystal of carbon nanotubes and homogenization of optically anisotropic periodic composites
за авторством: Gumen, L.N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gumen, L.N., та інші
Опубліковано: (2008)
First principles calculations of indium impurity-cadmium vacancy complex in CdTe
за авторством: Yuriychuk, I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yuriychuk, I., та інші
Опубліковано: (2018)
Complex application of the reflected and refracted wave methods in the study of the Kurinsky depression
за авторством: Shakarov, Hafiz
Опубліковано: (2026)
за авторством: Shakarov, Hafiz
Опубліковано: (2026)
Terahertz oscillations in InN Gunn diodes with an active region length of 1 μm and with a graded GaInN layer
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2022)
TERAHERTZ OSCILLATIONS IN InN GUNN DIODES WITH AN ACTIVE REGION LENGTH OF 1 μm AND WITH A GRADED GaInN LAYER
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2023)
Electronic and optical properties of β-HgS
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2019)
Excitation of Josephson plasma waves in a layered high-temperature superconductor slab embedded in a high refractive index dielectric
за авторством: S. Cortйs-Lуpez, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: S. Cortйs-Lуpez, та інші
Опубліковано: (2020)
Some Problems of Translations of Ch. Botev's "In the Inn”
за авторством: V. A. Lavrenov
Опубліковано: (2002)
за авторством: V. A. Lavrenov
Опубліковано: (2002)
Схожі ресурси
-
Complex index of refraction of indium nitride InN
за авторством: J. O. Akinlami, та інші
Опубліковано: (2012) -
Reflection coefficient and optical conductivity of gallium nitride GaN
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2012) -
On the prospects of using porous indium phosphide as substrates for indium nitride films
за авторством: Ja. A. Sychikova
Опубліковано: (2010) -
Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: P. O. Sai
Опубліковано: (2016) -
Ohmic contacts to InN-based materials
за авторством: Sai, P.O.
Опубліковано: (2016)