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Complex index of refraction of indium nitride InN

We have investigated the complex index of refraction of Indium Nitride (InN). We obtained refractive index which has the maximum value 2.59 at the photon energy 5.30 eV, the extinction coefficient which has the maximum value 0.86 at the photon energy 5.30 eV, the dielectri...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Akinlami, J.O., Bolaji, F.M.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118324
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Complex index of refraction of indium nitride InN / J.O. Akinlami, F.M. Bolaji // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 3. — С 276-280. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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