Aleinikov, A., Berezovets, V., Borblik, V., Shwarts, M., & Shwarts, Y. (2012). Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Aleinikov, A.B, V.A Berezovets, V.L Borblik, M.M Shwarts, та Yu.M Shwarts. Effect of Magnetic Field on Hysteretic Characteristics of Silicon Diodes Under Conditions of Low-temperature Impurity Breakdown. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2012.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Aleinikov, A.B, et al. Effect of Magnetic Field on Hysteretic Characteristics of Silicon Diodes Under Conditions of Low-temperature Impurity Breakdown. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2012.