Зображення обкладинки

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown

Effect of magnetic field (up to 14 T) on current-voltage characteristics of silicon n⁺ -p diodes which manifests hysteresis loops related with low-temperature impurity breakdown has been studied. With growth of magnetic field, the hysteresis loops are narrowed and decreased in amplitude and then...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2012
Автори:	Aleinikov, A.B., Berezovets, V.A., Borblik, V.L., Shwarts, M.M., Shwarts, Yu.M.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118325
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown / A.B. Aleinikov, V.A. Berezovets, V.L. Borblik, M.M. Shwarts, Yu.M. Shwarts // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 3. — С. 288-293. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Effect of magnetic field on hysteretic characteristics of silicon diodes under conditions of low-temperature impurity breakdown
за авторством: A. B. Aleinikov, та інші
Опубліковано: (2012)

Characteristics of diode temperature sensors which exhibit Mott conduction in low temperature region
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2007)

A new method of extraction of a p-n diode series resistance from I-V characteristics and its application to analysis of low-temperature conduction of the diode base
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2009)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2017)

New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon p-n diodes at cryogenic temperatures
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2017)

Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)

About manifestation of the piezojunction effect in diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of mechanical stress on operation of diode temperature sensors
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2002)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2010)

Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)

Smoothing cubic spline approximation of silicon diode temperature sensors thermometric characteristics
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Self-consistent method for optimization of parameters of diode temperature sensors
за авторством: Kulish, N.R., та інші
Опубліковано: (1999)

Effect of nonuniform doping profile on thermometric performance of diode temperature sensors
за авторством: Sokolov, V.N., та інші
Опубліковано: (2002)

Non-ohmic Mott conductivity and thermometric characteristics of heavily doped silicon structures
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)

Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
за авторством: Ivashchenko, O.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Electrostatics of the nanowire radial -- diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2019)

On Calculation of Breakdown Electromagnetic Field in Low-Temperature Microwave Plasmatron
за авторством: Tsarin, Yu. A.
Опубліковано: (2013)

Numerical modelling of low-temperature non-equilibrium plasma of pulsing corona and breakdown
за авторством: Chyhin, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Optimized calibration of cryogenic silicon thermodiodes
за авторством: O. M. Ivashchenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Method of low-temperature rise of laser diode quality
за авторством: Kamuz, A.M., та інші
Опубліковано: (2002)

Nanocrystalline Ge films created by thermal vacuum deposition on GaAs substrates: structural and electric properties
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2014)

Concerning the depletion width of a radial - junction and its influence on electrical properties of the diode
за авторством: Borblik, V.L.
Опубліковано: (2017)

Low-temperature behavior of disordered magnetic impurities: Distribution of effective Kondo temperatures
за авторством: Zvyagin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)

Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Low-temperature electron spectra of impurities in naphtalene crystals
за авторством: N. D. Curmei, та інші
Опубліковано: (2014)

Low-temperature electron spectra of impurities in naphtalene crystals
за авторством: N. D. Curmei, та інші
Опубліковано: (2014)

Low-temperature anomalies in the magnetic and thermal properties of molecular cryocrystals doped with oxygen impurity
за авторством: Freiman, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2000)

Electrostatics of the nanowire radial p-i-n diode
за авторством: V. L. Borblik
Опубліковано: (2019)

Low pressure gas discharge in magnetically insulated diode
за авторством: Jamirzoev, A., та інші
Опубліковано: (2015)

Ultrathin superconducting NbRe microstrips with hysteretic voltage-current characteristic
за авторством: C. Cirillo, та інші
Опубліковано: (2020)

Relaxation of Magnetosensitive Impurities in Single-Crystalline Silicon
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)

Hysteretic phenomena in Xe-doped C₆₀ from x-ray diffraction
за авторством: Prokhvatilov, A.I., та інші
Опубліковано: (2005)

Humidity Diode Sensors Based on 1D Nanosized Silicon Structures
за авторством: Ya. O. Linevych, та інші
Опубліковано: (2024)

Investigations of impurity gettering in multicrystalline silicon
за авторством: Evtukh, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Analyzing silicon for the content of oxygen, nitrogen and hydrogen impurities
за авторством: R. V. Kozin, та інші
Опубліковано: (2024)

Microfluctuations of oxygen impurity concentration as a reason of accelerated oxygen diffusion in silicon
за авторством: Neimash, V.B., та інші
Опубліковано: (2000)

Hysteretic phenomena and switching effects under phase transitions in external field
за авторством: Stefanovich, L.I.
Опубліковано: (1999)

Spin-dependent current in silicon p-n junction diodes
за авторством: Tretyak, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)