Syngaivska, G., & Korotyeyev, V. (2007). Monte Carlo Simulation of hot electron effects in compensated GaN semiconductor at moderate electricfields. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Syngaivska, G.I, und V.V Korotyeyev. Monte Carlo Simulation of Hot Electron Effects in Compensated GaN Semiconductor at Moderate Electricfields. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Syngaivska, G.I, und V.V Korotyeyev. Monte Carlo Simulation of Hot Electron Effects in Compensated GaN Semiconductor at Moderate Electricfields. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.