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HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy

CdxHg₁₋xTe-based (x = 0 – 0.25) quantum wells (QWs) of 8 – 22 nm in
 thickness were grown on (013) CdTe/ZnTe/GaAs substrates by molecular beam epitaxy.
 The composition and thickness (d) of wide-gap layers (spacers) were x ∼ 0.7 mol.frac.
 and d ∼ 35 nm, respectively, at both...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:2007
Hauptverfasser: Dvoretsky, S.A, Ikusov, D.G., Kvon, Z.D., Mikhailov, N.N., Remesnik, V.G., Smirnov, R.N., Sidorov, Yu.G., Shvets, V.A.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118333
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Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy / S.A.Dvoretsky, D.G.Ikusov. Z.D.Kvon, N.N.Mikhailov, V.G.Remesnik, R.N.Smirnov, Yu.G.Sidorov, V.A.Shvets // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 4. — С. 47-53. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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