Modeling of photo-conversion efficiency for hydrogenated amorphous Si p-i-n structures
An analytical formalism to optimize the photoconversion efficiency η of hydrogenated amorphous silicon-based (a-Si:H) solar cells has been developed. This model allows firstly the optimization of a p⁺ -i-n sandwich in terms of carrier mobilities, thickness of the layers, doping levels, and other...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118334 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Modeling of photo-conversion efficiency for hydrogenated amorphous Si p-i-n structures / A.V. Sachenko, I. O Sokolovskyi, A. Kazakevitch, A.I. Shkrebtii, F. Gaspari // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 4. — С. 60-66. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |