Зображення обкладинки

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes

High-stable heat-resistant low-resistance contact systems with diffusion barriers involving quasi-amorphous TiBx layers are suggested and studied. We have performed the structural and morphological investigations along with studies of Auger concentration depth profiles in the contacts both bef...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2007
Автори:	Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Ivanov, V.N., Kapitanchuk, L.M., Kladko, V.P., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Kuchuk, A.V., Lytvyn, O.S., Milenin, V.V., Sheremet, V.N., Sveshnikov, Yu.N.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118341
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes / A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, V.N. Ivanov, L.M. Kapitanchuk, V.P. Kladko, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Kuchuk, O.S. Lytvyn, V.V. Milenin, V.N. Sheremet, Yu.N. Sveshnikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 4. — С. 1-8. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

On the current flow mechanism in the Au-TiBx-n-GaN-i-Al₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2011)

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: Sorokin, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Luminescence of gallium-containing complex oxide crystal
за авторством: Shevchuk, V.N.
Опубліковано: (2005)

Microwave diodes with contact metallization systems based on silicides, nitrides and borides of refractory metals
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)

SiC Schottky-barrier diodes formed with TiBx and ZrBx amorphous layers
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2004)

Novel technological possibilities for growth of GaAs autoepitaxial films, and properties of Gunn diodes made on their basis
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2005)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2012)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2019)

Technique and setup for diagnostics of p-n junction to case thermal resistance in high-power gallium nitride LEDs
за авторством: V. M. Sorokin, та інші
Опубліковано: (2012)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Heat tolerance of titanium boride and titanium nitride contacts to gallium arsenide
за авторством: Venger, Ye.F., та інші
Опубліковано: (1999)

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Degradation of voltage-current characteristics of gallium phosphide diodes due to radiation-induced defects
за авторством: Dubovyi, V.K., та інші
Опубліковано: (2005)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Contacts for silicon IMPATT and pick-off diodes
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2000)

Radiation hardness of AlAs/GaAs-based resonant tunneling diodes
за авторством: Belyaev, A.A., та інші
Опубліковано: (1999)

Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2019)

Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: M. S. Boltovets, та інші
Опубліковано: (2010)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)

A silicon carbide thermistor
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2019)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n⁺ -n doping step
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n⁺ -GaN ohmic contacts
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Effect of nonuniform doping profile on thermometric performance of diode temperature sensors
за авторством: Sokolov, V.N., та інші
Опубліковано: (2002)