APA (7th ed.) Citation

Dolgolenko, A., Varentsov, M., Gaidar, G., & Litovchenko, P. (2007). Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Dolgolenko, A.P, M.D Varentsov, G.P Gaidar, and P.G Litovchenko. Dependence of the Defect Introduction Rate on the Dose of Irradiation of P-Si by Fast-pile Neutrons. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.

MLA (8th ed.) Citation

Dolgolenko, A.P, et al. Dependence of the Defect Introduction Rate on the Dose of Irradiation of P-Si by Fast-pile Neutrons. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.