Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons
We have studied the high-resistance samples of p-Si (р00 = (3.3 ± 0.5) × × 10¹² cm⁻³ ) and n-Si (n₀ = (2.0 ± 0.3) × 10¹² cm⁻³ ) grown by the floating-zone technique after the irradiation by fast-pile neutrons at 287 К. The dose and the temperature dependences of the effective concentration of c...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2007 |
| Автори: | Dolgolenko, A.P., Varentsov, M.D., Gaidar, G.P., Litovchenko, P.G. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118342 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons / A.P. Dolgolenko, M.D. Varentsov, G.P. Gaidar, P.G. Litovchenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 4. — С. 9-14. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)
Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (⁶⁰Co) n-Si crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)
Identification of defects of the piles with reflected waves
за авторством: Lebid, O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Lebid, O., та інші
Опубліковано: (2018)
Identification of defects of the piles with reflected waves
за авторством: O. Lebid, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. Lebid, та інші
Опубліковано: (2018)
On the possibility of multi-wave identification of defects in piles
за авторством: O. M. Trofymchuk, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: O. M. Trofymchuk, та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (60Co) n-Si crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2018)
Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)
On methodology of measuring parameters with the increased sensitivity to residual or irradiation induced inhomogeneities in semiconductors
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2009)
Optical absorption and luminescence studies of fast neutron-irradiated complex oxides for jewellery applications
за авторством: N. Mironova-Ulmane, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: N. Mironova-Ulmane, та інші
Опубліковано: (2016)
Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)
Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)
Spectroscopic studies of defects in gamma- and neutron-irradiated magnesium aluminates spinel ceramics
за авторством: Kazarinov, Yu., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Kazarinov, Yu., та інші
Опубліковано: (2017)
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)
Analysis of exposure dose rate and neutron flux density dynamics in the Shelter object of the Chornobyl NPP
за авторством: M. V. Saveliev, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: M. V. Saveliev, та інші
Опубліковано: (2022)
New scintillators for fast and thermal neutron detection
за авторством: Galunov, N.Z., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Galunov, N.Z., та інші
Опубліковано: (2012)
Comparative mathematical analysis of the colony-forming ability of bone marrow of mice irradiated in lethal dose with high and low dose rate
за авторством: R. V. Boiko, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: R. V. Boiko, та інші
Опубліковано: (2018)
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
Possible reasons for cracking of composite scintillators after irradiation in an electron accelerator at a high dose rate
за авторством: Krech, A.V., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Krech, A.V., та інші
Опубліковано: (2022)
Gamma and fast neutrons flux radiation minimization during the concentrated flux formation of delayed neutrons
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Gokov, S.P., та інші
Опубліковано: (2023)
The annealing of high - level doped materials on the base of the n – and p – Si₀.₇ Ge₀.₃ solid solution under reactor irradiation
за авторством: Dolgolenko, A.P.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Dolgolenko, A.P.
Опубліковано: (2006)
Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si0. 97Ge0. 03 whiskers
за авторством: P. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide
за авторством: Kudin, A.P., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Kudin, A.P., та інші
Опубліковано: (2001)
Restoring of fast neutron energetic spectra on the basis of amplitude distribution of signals measured by single crystal neutron spectrometer
за авторством: Olejnik, S.N., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Olejnik, S.N., та інші
Опубліковано: (2000)
Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Depth equalization of the dose when irradiated by electrons at different angles
за авторством: Rudychev, V.G., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Rudychev, V.G., та інші
Опубліковано: (2020)
Influence of preliminary irradiation on radiation hardness of silicon and indium antimonide
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (2001)
Modification of radiation defects in Si and Ge by background impurity
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. P. Dolgolenko
Опубліковано: (2013)
A Pile of Shifts II: Structure and -Theory
за авторством: Hebert, Shelley, та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Hebert, Shelley, та інші
Опубліковано: (2025)
Energy dependence of fast neutron scattering cross-section for 54Fe nuclei
за авторством: I. O. Korzh, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: I. O. Korzh, та інші
Опубліковано: (2017)
Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)
Modeling coal dust dispersion from pile with protection barriers
за авторством: M. Biliaiev, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. Biliaiev, та інші
Опубліковано: (2020)
Mathematical analysis of functional properties alterations of mice bone marrow during protracted external irradiation with different dose rate intensity
за авторством: R. V. Boiko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: R. V. Boiko, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of technological dose of irradiation on mechanical and electrical characteristics of polymeric insulation of wires
за авторством: Bezprozvannych, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bezprozvannych, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Combined composite scintillation detector for separate measurements of fast and thermal neutrons
за авторством: Karavaeva, N.L., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Karavaeva, N.L., та інші
Опубліковано: (2010)
Prompt gamma-rays from fast neutron capture in natNi
за авторством: I. M. Kadenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: I. M. Kadenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Схожі ресурси
-
Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004) -
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011) -
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011) -
Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (⁶⁰Co) n-Si crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018) -
Identification of defects of the piles with reflected waves
за авторством: Lebid, O., та інші
Опубліковано: (2018)