Зображення обкладинки

Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing

The time dependences of changes of the electrophysical, mechanical, and light
 emitting characteristics of semiinsulated undoped GaAs single crystals on the dissolving
 annealing (Т = 1050 ºС) with the consequent quenching are obtained. The role of
 vacancies, interstitial po...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2007
Автори: Shutov, S.V., Shtan’ko, A.D., Kurak, V.V., Litvinova, M.B.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118345
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Change of parameters of semiinsulated undoped GaAs nonstoichiometric crystals under annealing / S.V. Shutov, A.D. Shtan'ko, M.B. Litvinova, V.V. Kurak // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2007. — Т. 10, № 4. — С. 26-30. — Бібліогр.: 13 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси