Стиль цитування APA (7-ме видання)

Gaidar, G. (2014). Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Gaidar, G.P. "Investigation of the Influence of Isovalent Impurity of Silicon and Y-irradiation (⁶⁰Co) on Electrophysical Parameters of N-Ge ." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2014.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Gaidar, G.P. "Investigation of the Influence of Isovalent Impurity of Silicon and Y-irradiation (⁶⁰Co) on Electrophysical Parameters of N-Ge ." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2014.

Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.