Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
The influence of isovalent impurity of Si on the kinetics of electron processes in n-Ge <Sb> single crystals has been investigated. It has been shown that in the region of predominant impurity scattering (at Т = 77.4 K), the presence of isovalent impurity significantly reduces the mobility...
Збережено в:
| Дата: | 2014 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118355 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb> / G.P. Gaidar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 1. — С. 25-28. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. |