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Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects

In this work, photoluminescence spectra of lightly doped SiC crystals with ingrown original defects are reported. Undoped SiC single crystals with the impurity concentration of ND – NA ~ (2…8)*10¹⁶ cm⁻³, NA ~ (2…8)*10¹⁷ cm⁻³, and ND – NA ~ (1…5)*10¹⁷ cm⁻³, ND = 10¹⁸ cm⁻³ were investigated. The...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, L.V., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118364
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects / S.I. Vlaskina, G.N. Mishinova, L.V. Vlaskin, V.E. Rodionov, G.S. Svechnikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 2. — С. 155-159. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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