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Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes

In order to estimate the role of complex defects on GaP light emitting diodes (LED) operation, luminescent and electrical characteristics of GaP LEDs irradiated with reactor neutrons have been studied. It has been stated that nonradiative levels of radiation defects affect...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2014
Hauptverfasser:	Konoreva, O., Malyj, E., Mamykin, S., Petrenko, I., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118369
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes / O. Konoreva, E. Malyj, S. Mamykin, I. Petrenko, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 2. — С. 184-187. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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