Зображення обкладинки

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes

In order to estimate the role of complex defects on GaP light emitting diodes (LED) operation, luminescent and electrical characteristics of GaP LEDs irradiated with reactor neutrons have been studied. It has been stated that nonradiative levels of radiation defects affect...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2014
Автори:	Konoreva, O., Malyj, E., Mamykin, S., Petrenko, I., Pinkovska, M., Tartachnyk, V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118369
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes / O. Konoreva, E. Malyj, S. Mamykin, I. Petrenko, M. Pinkovska, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 2. — С. 184-187. — Бібліогр.: 9 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Influence of complex defects on electrophysical properties of GaP light emitting diodes
за авторством: O. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2013)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2016)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
за авторством: Borzakovskyj, A., та інші
Опубліковано: (2009)

Degradation of electrooptical characteristics of serial GaP light-emitting diodes, caused by fast electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
за авторством: Gontaruk, O.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Electrical and optical characteristics of GaP diodes, irradiated with 2 MeV electrons
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2014)

Effect of neutron irradiation on characteristics of power InGaN/GaN light-emitting diodes
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of electrooptical characteristics of gallium phosphide light-emitting diodes in high injection level conditions
за авторством: O. M. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of 2 MeV electrons irradiation on gallium phosphide light-emitting diodes reverse currents
за авторством: V. H. Vorobiov, та інші
Опубліковано: (2015)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: O. Hontaruk, та інші
Опубліковано: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
за авторством: Hontaruk, O., та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of radiation on the electrophysical parameters of GaAsP LEDs
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2021)

Acoustic emission of the light emitting diodes (review)
за авторством: O. I. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
за авторством: Konoreva, O., та інші
Опубліковано: (2010)

Electrophysical characteristics of initial and irradiated GaAsP LEDs structures
за авторством: O. V. Konoreva, та інші
Опубліковано: (2019)

1,4-bis(2,2-diphenylethenyl)benzene as an efficient emitting material for organic light emitting diodes
за авторством: Fenenko, L., та інші
Опубліковано: (2007)

Influencing of surfacing chips on extraction of radiation of superbright light emitting diodes on heterostructures InGaN/Al2O3
за авторством: V. I. Osinskij, та інші
Опубліковано: (2003)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2011)

Some aspects of thermal resistance measurement technique for IMPATT and light-emitting diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2011)

A review of high ideality factor in gallium nitride-based light-emitting diode
за авторством: Hedzir, A.S., та інші
Опубліковано: (2021)

Europium coordination compounds based on carbacylamidophosphate ligands for metal-organic light-emitting diodes (MOLEDs)
за авторством: O. O. Litsis, та інші
Опубліковано: (2013)

Acoustic-emission method of control of defects-formation process in light-emitting structures
за авторством: O. V. Lyashenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Acoustic-emission method for controlling the defect-formation process in light-emitting structures
за авторством: Lyashenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Modeling of In₀.₁₇Ga₀.₈₃N/InₓGa₁₋ₓN/AlyGa₁₋yN light emitting diode structure on ScAlMgO₄ (0001) substrate for high intensity red emission
за авторством: Hussain, S., та інші
Опубліковано: (2020)

A PLANAR n⁺ –n–n⁺ GaAs DIODE WITH GaInAs-BASED GRADED-GAP ACTIVE SIDE BOUNDARY
за авторством: Zozulia, V. O., та інші
Опубліковано: (2024)

Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)

Application of N-dimethyl benzoylamidophosphate-based coordination compounds in the development of the technology for metalloorganic light-emitting diodes (MOLED)
за авторством: N. S. Kariaka, та інші
Опубліковано: (2014)

Modification of electroluminescence and charge trapping in germanium implanted metal-oxide-silicon light-emitting diodes with plasma treatment
за авторством: Nazarov, A.N., та інші
Опубліковано: (2005)

Optical spectroscopy and microscopy of radiationinduced light-emitting point defects in lithium fluoride crystals and films
за авторством: Montereali, R.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Electrophysical characteristics of GaAs1-xPx LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: R. M. Vernydub, та інші
Опубліковано: (2020)

Graded-gap AlInN Gunn diodes
за авторством: I. P. Storozhenko, та інші
Опубліковано: (2012)

Optical spectroscopy and microscopy of radia-tion-induced light-emitting point defects in lithium fluoride crystals and films
за авторством: R. M. Montereali, та інші
Опубліковано: (2012)

Light-emitting properties of BN synthesized by different techniques
за авторством: Yu. Rudko, та інші
Опубліковано: (2020)

Light-emitting properties of BN synthesized by different techniques
за авторством: Rudko, G.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of electron irradiation with E = 2 MeV on electrophysical and optical characteristics of green InGaN/GaN LEDs
за авторством: T. I. Mosiuk, та інші
Опубліковано: (2023)

Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures
за авторством: V. P. Veleschuk, та інші
Опубліковано: (2010)

Acoustic emission and fluctuations of electroluminescence intensity in light-emitting heterostructures
за авторством: Veleschuk, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)