Зображення обкладинки

Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nanofilm of layered semiconductor

Represented in this paper is the method and results of theoretical investigations aimed at the influence of spatial confinement effects, self-polarization of heterojunction planes as well as exciton-phonon interaction on the position and shape of the band corresponding to...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2014
Автори:	Derevyanchuk, A.V., Pugantseva, O.V., Kramar, V.M.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2014
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118372
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nanofilm of layered semiconductor / A.V. Derevyanchuk, O.V. Pugantseva, V.M. Kramar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 2. — С. 188-192. — Бібліогр.: 21 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Temperature changes in the function of the shape inherent to the band of exciton absorption in nano-film of layered semiconductor
за авторством: A. V. Derevyanchuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Spatial confinement, self-polarization and exciton–phohon interaction effect on the location of exciton line in lead iodide nanofilms
за авторством: Kramar, V.M., та інші
Опубліковано: (2014)

Temperature changes of the exciton transition energy in lead di-iodide nanofilms
за авторством: Pugantseva, O.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Spatial confinement, self-polarization and exciton–phohon interaction effect on the location of exciton line in lead iodide nanofilms
за авторством: V. M. Kramar, та інші
Опубліковано: (2014)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Temperature changes in the excitonic absorption band in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa₁₋xAs
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Temperature changes of the exciton transition energy in lead di-iodide nanofilms
за авторством: O. V. Pugantseva, та інші
Опубліковано: (2013)

Temperature changes in the exciton absorption band observed in flat double nanoheterostructures GaAs/AlxGa1-xAs
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Excitonic effects in band-edge luminescence of semiconductors at room temperatures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Light absorption by d-dimensional organic semiconductors under exciton transitions between broad bands
за авторством: Grigorchuk, N. I.
Опубліковано: (1999)

Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2003)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondriuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Thickness, concentration, and temperature dependences of exciton transition energies in AlxGa1–xAs/GaAs/AlxGa1–xAs nanofilms
за авторством: D. V. Kondryuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers
за авторством: G. V. Vertsimakha
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of the exciton scattering in double semiconductor quantum wells with disordered layers
за авторством: Vertsimakha, G.V.
Опубліковано: (2015)

Light absorption by excited exciton states in layered InSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Exciton states in semiconductor nanosystems
за авторством: S. I. Pokutnij, та інші
Опубліковано: (2016)

Excitons and exciton quasimolecules states in nanosystems of semiconductor quantum dots
за авторством: S. I. Pokutnyi, та інші
Опубліковано: (2019)

Effect of temperature variation on shift and broadening of exciton band in Cs₃Bi₂I₉ layered crystals
за авторством: Machulin, V.F., та інші
Опубліковано: (2004)

Exciton effects in band-edge electroluminescence of silicon barrier structures
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Excitons and trions in spherical semiconductor quantum dots
за авторством: Kupchak, I.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Exciton absorption spectra of KPb₂Br₅ thin films
за авторством: Kovalenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Excitons in Nanosystems Consisting of Semiconductor Quantum Dots
за авторством: Pokutnyi, S.I., та інші
Опубліковано: (2017)

Exciton absorption spectrum of Cs₄PbCl₆ thin films
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2015)

Exciton spectrum in multi-shell hexagonal semiconductor nanotube
за авторством: Makhanets, O.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Electrostatic layer-by-layer assembly of poly-3,4-ethylene dioxythiophene functional nanofilms
за авторством: Konopelnyk, O.I., та інші
Опубліковано: (2013)

Light absorption by inhomogeneous semiconductor film
за авторством: Baraban, L., та інші
Опубліковано: (2005)

Influence of absorption saturation on the shape of CdSe absorption edge
за авторством: M. R. Kulish, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of absorption saturation on the shape of CdSe absorption edge
за авторством: Kulish, M.R., та інші
Опубліковано: (2014)

Concentration-size dependences for the electron energy in AlxGa₁₋xAs/GaAs/AlxGa₁₋xAs nanofilms
за авторством: Kondryuk, D.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Study of the absorption band in the range 0.3-0.9 eV inherent to solid solutions p-Ge₁₋xSix irradiated by fast electrons at the temperature 77 K
за авторством: Abbasov, Sh.M., та інші
Опубліковано: (2006)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)

Ordered Dissipative Structures in Exciton Systems in Semiconductor Quantum Wells
за авторством: Chernyuk, A.A., та інші
Опубліковано: (2006)

Determination of oscillator strength of confined excitons in a semiconductor microcavity
за авторством: Cotta, E.A., та інші
Опубліковано: (2014)

The theory of exciton states in quasi-zero-dimensional semiconductor systems
за авторством: Pokutnyi, S.I.
Опубліковано: (2006)

Exciton absorption spectrum of thin (KI)₁₋x(PbI₂)x films
за авторством: Yunakova, O.N., та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of polarization of conduction electrons in semiconductor on their light absorption
за авторством: V. S. Severin
Опубліковано: (2011)

Influence of polarization of conduction electrons in semiconductor on their light absorption
за авторством: Severin, V.S.
Опубліковано: (2011)

Exciton–magnon structure of optical absorption spectrum of antiferromagnetic MnPS3
за авторством: S. L. Gnatchenko, та інші
Опубліковано: (2011)

Band gap change of bulk ZnSxSe1 – x semiconductors by controlling the sulfur content
за авторством: O. G. Trubaieva, та інші
Опубліковано: (2018)