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Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures

We studied the relaxation processes of photoconductivity in Si(Li) p-i-n structures. It has been shown that a clearly pronounced “well” is observed in time dependences of the photovoltage pulse after photoexcitation of these structures. Our experimental data are indicative...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Mumimov, R.A., Kanyazov, Sh.K., Saymbetov, A.K.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118398
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Relaxation process features of photoconductivity in p-i-n structures / R.A. Mumimov, Sh.K. Kanyazov, A.K. Saymbetov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 259-261. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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