Зображення обкладинки

Acoustic-emission method for controlling the defect-formation process in light-emitting structures

Сomplex researches of light-emitting structures based on А₃В₅ compounds have been carried out. It has been shown that at current loading exceeding the acousticemission threshold, there arises a change in the electroluminescence intensity, fluctuation of current and light. It has been ascertained...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2010
Автори: Lyashenko, O.V., Vlasenko, A.I., Veleschuk, V.P., Kisseluk, M.P.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118399
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Acoustic-emission method for controlling the defect-formation process in light-emitting structures / O.V. Lyashenko, A.I. Vlasenko, V.P. Veleschuk, M.P. Kisseluk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 326-329. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси