Determination of structural homogeneity of synthetic diamonds from analysis of Kikuchi lines intensity distribution
It has been suggested the technique based on analysis of geometry and
 intensity distribution profiles in Kikuchi patterns obtained due to electron backscattering
 diffraction for defining structural imperfection of diamond crystals. To determine the
 geometry parameters in K...
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| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2010 |
| Hauptverfasser: | Fodchuk, I., Balovsyak, S., Borcha, M., Garabazhiv, Ya., Tkach, V. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118400 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Determination of structural homogeneity of synthetic diamonds
 from analysis of Kikuchi lines intensity distribution / I. Fodchuk, S. Balovsyak, M. Borcha, Ya. Garabazhiv, V. Tkach // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 3. — С. 262-267. — Бібліогр.: 21 назв. — англ. |
Institution
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