Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers
The effect of 8.6∙10¹⁷ n/cm² with fast neutron irradiation on the magnetic
 susceptibility of Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ thread-like crystals (whiskers) with impurity concentration
 near metal-insulator junction has been studied. Significant differences have been
 observed in the change of...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автори: | Litovchenko, P.G., Pavlovska, N.T., Pavlovskyy, Yu.V., Ugrin, Yu.O., Luka, G., Ostrovskyy, I.P. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118430 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si₀.₉₇Ge₀.₀₃ whiskers / P.G. Litovchenko, N.T. Pavlovska, Yu.V. Pavlovskyy, Yu.O. Ugrin, G. Luka, I.P. Ostrovskyy // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 4. — С. 416-420. — Бібліогр.: 12 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si0. 97Ge0. 03 whiskers
за авторством: P. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: P. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014)
Magnetoresistance and magnetic susceptibility of doped Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2007)
Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2017)
Low-temperature magnetoresistance of GaSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2017)
Seebeck's effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: A. P. Dolgolenko, та інші
Опубліковано: (2011)
Peculiarities of charge carriers transport in submicron Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2016)
Negative magnetoresistance in indium antimonide whiskers doped with tin
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2016)
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Druzhinin, A., та інші
Опубліковано: (2019)
Quantum magnetoresistance in Si <B, Ni> whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2021)
Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Influence of growing and doping methods on radiation hardness of n-Si irradiated by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2004)
Influence of neutron irradiation on elctrooptical and structural properties of silicon
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Groza, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)
Spin-orbit coupling in strained Ge whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of the annealing of silicon crystals at 1200 °C on the Hall effect and magnetoresistance
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Baranskyy, P.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Litovchenko, P., та інші
Опубліковано: (2009)
Investigation of the spatial and energy distributions of neutrons in the massive uranium target irradiated by deuterons with energy of 1…8 GeV
за авторством: Artiushenko, M.Yu., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Artiushenko, M.Yu., та інші
Опубліковано: (2013)
Low temperature characteristics of germanium whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2014)
Piezoresistive properties of boron-doped silicon whiskers at cryogenic temperatures
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2004)
Electrophysical characteristics of GaAs₁₋ₓPₓ LEDs irradiated by 2 MeV electrons
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vernydub, R.M., та інші
Опубліковано: (2020)
Phase Composition and Magnetoresistive Properties of Tree-Layer Fe/Ge/Fe Films
за авторством: O. V. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: O. V. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2013)
The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)
Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)
Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)
Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)
Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)
Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)
Neutron irradiation influence on the silicon voltage limiter parameters
за авторством: Rakhmatov, A.Z., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Rakhmatov, A.Z., та інші
Опубліковано: (2012)
Computation studying of the neutron yield from the neutron-production target irradiated with electrons
за авторством: Prokhorets, I.M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Prokhorets, I.M., та інші
Опубліковано: (2009)
Peculiarities of neutron fields formation in the systems “neutron producing target – moderator” irradiated by high energy particles
за авторством: Chigrinov, S.E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Chigrinov, S.E., та інші
Опубліковано: (2005)
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Bratus, та інші
Опубліковано: (2015)
Thermal annealing and evolution of defects in neutron-irradiated cubic SiC
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Bratus, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of radiation defects on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl irradiated by neutrons
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2020)
Semiconductor sensors for dosimetry of epithermal neutrons
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Litovchenko, P.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Mechanical properties of HfB2 whiskers
за авторством: S. N. Dub, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: S. N. Dub, та інші
Опубліковано: (2013)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
GaSb whiskers in sensor electronics
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Схожі ресурси
-
Magnetic and magnetoresistive characteristics of neutron-irradiated Si0. 97Ge0. 03 whiskers
за авторством: P. G. Litovchenko, та інші
Опубліковано: (2014) -
Magnetoresistance and magnetic susceptibility of doped Si-Ge whiskers
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2007) -
Seebeck’s effect in p-SiGe whisker samples
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2011) -
Peculiarities of Si-Ge whisker growing by CTR method
за авторством: Druzhinin, A.A., та інші
Опубліковано: (2005) -
Quantization in magnetoresistance of strained InSb whiskers
за авторством: A. Druzhinin, та інші
Опубліковано: (2019)