Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2013
• Hauptverfasser: Хаджай, Г.Я., Вовк, Р.В., Вовк, Н.Р.
• Format: Artikel
• Sprache: Russisch
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2013
• Schlagworte: Электронные свойства проводящих систем
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118463
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Индуцированная высоким давлением релаксация электросопротивления монокристаллов YBa₂Cu₃O₇ / Г.Я. Хаджай, Р.В. Вовк, Н.Р. Вовк // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 6. — С. 684–689. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Исследовано влияние высокого гидростатического давления на электросопротивление в ab-плоскости монокристаллов YBa₂Cu₃O₇₋δ c недостатком кислорода. Установлено, что температурная зависимость электрического сопротивления определяется флуктуационной проводимостью вблизи Тс и рассеянием электронов на фононах в нормальном состоянии. Высокое давление вызывает перераспределение лабильного кислорода, приводящее к усилению фазового расслоения. Снятие давления сопровождается процессами релаксации как в фононной, так и в электронной подсистемах, характерные времена которых значительно отличаются друг от друга. Досліджено вплив високого гідростатичного тиску на електроопір в ab-площині монокристалів YBa₂Cu₃O₇₋δ з нестачею кисню. Встановлено, що температурна залежність електричного опору визначається флуктуаційною провідністю поблизу Тс і розсіюванням електронів на фононах в нормальному стані. Високий тиск викликає перерозподіл лабільного кисню, що призводить до посилення фазового розшарування. Зняття тиску супроводжується процесами релаксації як у фононній, так в електронній підсистемах, характерні терміни яких значно відрізняються один від одного. The influence of high hydrostatic pressure on elec-trical resistance in the ab plane of YBa₂Cu₃O₇₋δ single crystals with oxygen deficiency was investigated. It is found that the temperature dependence of the electrical resistance is determined by fluctuation conductivity near Tc, and by electron–phonon scattering in the normal state. High pressure causes redistribution of labile oxygen, resulting in an increased phase separation. The removal of pressure is accompanied by relaxation processes in the phonon and electron subsystems. Their relaxation time scales are significantly different from each other.