Structural and optical studies of (Ag₃AsS₃)₀.₆(As₂S₃)₀.₄ thin films deposited at different technological conditions
(Ag₃AsS₃)₀.₆(As₂S₃)₀.₄ thin films were deposited upon a quartz substrate by
 rapid thermal evaporation at temperatures 1050, 1200, and 1350 °C. Structural studies of
 the as-deposited thin films were carried out by scanning electron microscopy and atomic
 force microscopy. It...
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| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2014 |
| Hauptverfasser: | Studenyak, I.P., Neimet, Yu.Yu., Rati, Y.Y., Buchuk, M.Yu., Kökényesi, S., Daróci, L., Bohdan, R. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118484 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Structural and optical studies of (Ag₃AsS₃)₀.₆(As₂S₃)₀.₄ thin films deposited at different technological conditions / I.P. Studenyak, Yu.Yu. Neimet, Y.Y. Rati, M.Yu. Buchuk, S. Kokenyesi, L. Daroci, R. Bohdan // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 3. — С. 232-236. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
Institution
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