Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре
Проведены экспериментальные исследования подвижности поверхностных электронов в квазиодномерных проводящих каналах над жидким гелием при температурах 1,5–3 К. Установлено, что при T > 2 К подвижность сильно уменьшается относительно значений, соответствующих кинетическому режиму проводимости элект...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118486 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре / В.А. Николаенко, А.В. Смородин, С.С. Соколов // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 2. — С. 119–126. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862591225172852736 |
|---|---|
| author | Николаенко, В.А. Смородин, А.В. Соколов, С.С. |
| author_facet | Николаенко, В.А. Смородин, А.В. Соколов, С.С. |
| citation_txt | Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре / В.А. Николаенко, А.В. Смородин, С.С. Соколов // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 2. — С. 119–126. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| description | Проведены экспериментальные исследования подвижности поверхностных электронов в квазиодномерных проводящих каналах над жидким гелием при температурах 1,5–3 К. Установлено, что при T > 2 К подвижность сильно уменьшается относительно значений, соответствующих кинетическому режиму проводимости электронов. Такое поведение подвижности может быть объяснено образованием автолокализованного состояния электрона в плотном гелиевом паре, что сопровождается образованием вокруг электрона макроскопической области с неоднородным распределением плотности газа. Теоретические оценки температуры образования автолокализованного состояния, основанные на анализе условий появления минимума свободной энергии системы, дают значения, близкие к результатам эксперимента.
Проведено експериментальні дослідження рухливості поверхневих електронів у квазиодновимірних провідних каналах над рідким гелієм при температурах 1,5–3 К. Встановлено, що при T > 2 К рухливість сильно зменшується щодо значень, що відповідають кінетичному режиму провідності електронів. Таке поводження рухливості може бути пояснено утворенням автолокалізованого стану електрона в щільному гелієвому парі, що супроводжується утворенням навколо електрона макроскопічної області з неоднорідним розподілом щільності газу. Теоретичні оцінки температури утворення автолокалізованого стану, що засновані на аналізі умов появи мінімуму вільної енергії системи, дають значення, які близькі до результатів експерименту.
The experimental study of surface electron mobility in quasi-one-dimensional conducting channels over liquid helium is carried out in a temperature range of 1.5–3 K. It is found that the mobility decreases strongly, at T > 2 K, as compared to that in the kinetic regime of electron conductivity. This behavior can be attributed to the formation of an autolocalized electron state in dense helium vapor that is accompanied by the appearance of macroscopic regions with nonuniform distribution of vapor density. Theoretical estimation of the temperature of autolocalized state formation based on the analysis of conditions for the occurrence of a free energy minimum in the system, gives the values close to the experimental ones.
|
| first_indexed | 2025-11-27T05:42:56Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118486 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-27T05:42:56Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Николаенко, В.А. Смородин, А.В. Соколов, С.С. 2017-05-30T14:06:56Z 2017-05-30T14:06:56Z 2011 Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре / В.А. Николаенко, А.В. Смородин, С.С. Соколов // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 2. — С. 119–126. — Бібліогр.: 32 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 73.20.–r, 73.25.+i, 73.90.+f https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118486 Проведены экспериментальные исследования подвижности поверхностных электронов в квазиодномерных проводящих каналах над жидким гелием при температурах 1,5–3 К. Установлено, что при T > 2 К подвижность сильно уменьшается относительно значений, соответствующих кинетическому режиму проводимости электронов. Такое поведение подвижности может быть объяснено образованием автолокализованного состояния электрона в плотном гелиевом паре, что сопровождается образованием вокруг электрона макроскопической области с неоднородным распределением плотности газа. Теоретические оценки температуры образования автолокализованного состояния, основанные на анализе условий появления минимума свободной энергии системы, дают значения, близкие к результатам эксперимента. Проведено експериментальні дослідження рухливості поверхневих електронів у квазиодновимірних провідних каналах над рідким гелієм при температурах 1,5–3 К. Встановлено, що при T > 2 К рухливість сильно зменшується щодо значень, що відповідають кінетичному режиму провідності електронів. Таке поводження рухливості може бути пояснено утворенням автолокалізованого стану електрона в щільному гелієвому парі, що супроводжується утворенням навколо електрона макроскопічної області з неоднорідним розподілом щільності газу. Теоретичні оцінки температури утворення автолокалізованого стану, що засновані на аналізі умов появи мінімуму вільної енергії системи, дають значення, які близькі до результатів експерименту. The experimental study of surface electron mobility in quasi-one-dimensional conducting channels over liquid helium is carried out in a temperature range of 1.5–3 K. It is found that the mobility decreases strongly, at T > 2 K, as compared to that in the kinetic regime of electron conductivity. This behavior can be attributed to the formation of an autolocalized electron state in dense helium vapor that is accompanied by the appearance of macroscopic regions with nonuniform distribution of vapor density. Theoretical estimation of the temperature of autolocalized state formation based on the analysis of conditions for the occurrence of a free energy minimum in the system, gives the values close to the experimental ones. Авторы благодарны Ю.П. Монарха и В.Е. Сивоконю за стимулирующие дискуссии и обсуждение результатов работы. Работа поддержана грантом УНТЦ,
 проект 3718. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур Квантовые жидкости и квантовые кристаллы Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре Possible formation of autolocalized state of quasi-one-dimensional surface electrons in dense helium vapor Article published earlier |
| spellingShingle | Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре Николаенко, В.А. Смородин, А.В. Соколов, С.С. Квантовые жидкости и квантовые кристаллы |
| title | Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре |
| title_alt | Possible formation of autolocalized state of quasi-one-dimensional surface electrons in dense helium vapor |
| title_full | Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре |
| title_fullStr | Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре |
| title_full_unstemmed | Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре |
| title_short | Возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре |
| title_sort | возможное образование автолокализованного состояния квазиодномерных поверхностных электронов в плотном гелиевом паре |
| topic | Квантовые жидкости и квантовые кристаллы |
| topic_facet | Квантовые жидкости и квантовые кристаллы |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118486 |
| work_keys_str_mv | AT nikolaenkova vozmožnoeobrazovanieavtolokalizovannogosostoâniâkvaziodnomernyhpoverhnostnyhélektronovvplotnomgelievompare AT smorodinav vozmožnoeobrazovanieavtolokalizovannogosostoâniâkvaziodnomernyhpoverhnostnyhélektronovvplotnomgelievompare AT sokolovss vozmožnoeobrazovanieavtolokalizovannogosostoâniâkvaziodnomernyhpoverhnostnyhélektronovvplotnomgelievompare AT nikolaenkova possibleformationofautolocalizedstateofquasionedimensionalsurfaceelectronsindenseheliumvapor AT smorodinav possibleformationofautolocalizedstateofquasionedimensionalsurfaceelectronsindenseheliumvapor AT sokolovss possibleformationofautolocalizedstateofquasionedimensionalsurfaceelectronsindenseheliumvapor |