Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
Long-term transformations in photoluminescence of GaAs single crystals treated with pulsed weak magnetic fields have been obtained. Treatments were performed in the multi-pulse (B = 60 mT, f = 10 Hz, τ = 1.2 ms, t = 5 min) regime. The defect structure transformations were inferred from the radiat...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118498 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs / S.M. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 3. — С. 272-274. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |