Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
Long-term transformations in photoluminescence of GaAs single crystals
 treated with pulsed weak magnetic fields have been obtained. Treatments were
 performed in the multi-pulse (B = 60 mT, f = 10 Hz, τ = 1.2 ms, t = 5 min) regime. The
 defect structure transformations were...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2014 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118498 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of weak magnetic fields treatment
 on photoluminescence of GaAs / S.M. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2014. — Т. 17, № 3. — С. 272-274. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Red’ko, S.M.
Опубліковано: (2015)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2014)
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2014)
Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaN:Si
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)
за авторством: S. M. Redko
Опубліковано: (2015)
Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: R. V. Konakova, та інші
Опубліковано: (2014)
Optical approach to analysis of interaction of gallium nitride and weak magnetic fields
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Red'ko, R.A.
Опубліковано: (2015)
About influences of different actions on spectra of impurity photoluminescence in GaAs
за авторством: Litovchenko, N.M., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Litovchenko, N.M., та інші
Опубліковано: (2001)
Changes in impurity radiative recombination and surface morphology induced by the treatment of GaP in a weak magnetic field
за авторством: Redko, R.A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Redko, R.A., та інші
Опубліковано: (2020)
Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. V. Milenin, та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of low magnetic field treatment on spectra of radiative recombination centers in indium phosphide structures
за авторством: Red’ko, R. R.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Red’ko, R. R.
Опубліковано: (2009)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2016)
Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Red’ko, R., та інші
Опубліковано: (2007)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Localization and interference induced quantum effects at low magnetic fields in InGaAs/GaAs structures
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: A. P. Savelyev, та інші
Опубліковано: (2021)
Influence of microwave radiation treatment on photoluminescent properties of II-VI compounds (Review)
за авторством: R. A. Redko, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: R. A. Redko, та інші
Опубліковано: (2017)
Magnetic field impact on electrical properties of ZnSe-GaAs solid solutions
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Brodovoy, А.V., та інші
Опубліковано: (2006)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Magnetic field effect on the binding energy of a hydrogenic impurity in GaAs-Ga₁₋xAlxAs superlattice
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Abouelaoualim, D.
Опубліковано: (2005)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)
Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Milenin, V.V., та інші
Опубліковано: (2010)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
The Influence of Weak Magnetic Fields on the Mechanical Properties of Beryllium
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ye. I. Kurek, та інші
Опубліковано: (2015)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
The influence of Cr concentration on time resolution of GaAs detectors
за авторством: Fedorenko, L.L., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Fedorenko, L.L., та інші
Опубліковано: (2006)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Transformation of structural defects in semiconductors under the action of electromagnetic and magnetic fields, causing resonant phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)
GaAs диоды Ганна с AlAs-GaAs-AlAs резонансно туннельным катодом
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2006)
Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of ion implantation and annealing on composition and structure of GaAs surface
за авторством: Normuradov, M.T., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Normuradov, M.T., та інші
Опубліковано: (2002)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
The effect of the barrier width between coupled double quantum wells of GaAs/InGaAs/GaAs on the bipolar transport and THz emission of the hot carriers in the lateral electric field
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. N. Vinoslavskij, та інші
Опубліковано: (2020)