Buchumschlag

Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications

We demonstrate that the atomic layer deposition (ALD) technique has large potential to be widely used in a production of ZnO films for applications in electronic, photovoltaic (PV) and optoelectronic devices. Low growth temperature makes the ALD-grown ZnO films suitable for construction of various s...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика низких температур
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Godlewski, M., Guziewicz, E., Kopalko, K., Łuka, G., Łukasiewicz, M.I., Krajewski, T., Witkowski, B.S., Gierałtowska, S.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2011
Schlagworte:	XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118518
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications / M. Godlewski, E. Guziewicz, K. Kopalko, G. Łuka, M.I. Łukasiewicz, T. Krajewski, B.S. Witkowski, S. Gierałtowska // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 301–307. — Бібліогр.: 44 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Doped nanoparticles for optoelectronics applications
von: Godlewski, M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
von: Robouch, B.V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2011)

Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Электронная структура дырочных центров в CuO₂ плоскостях купратов
von: Москвин, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
von: Charikova, T.B., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Бозе-эйнштейновская конденсация диполярных экситонов в латеральных ловушках
von: Тимофеев, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)

О некоторых экспериментальных методах и трюках
von: Долгополов, В.Т.
Veröffentlicht: (2011)

Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
von: M. Godlewski, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью
von: Гантмахер, В.Ф.
Veröffentlicht: (2013)

Вступление
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2017)

Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
von: Говоркова, Т.Е., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Особенности ферромагнитного упорядочения в разбавленных магнитных диэлектриках
von: Кикоин, К.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
von: Парфеньев, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram
von: Kagalovsky, V.
Veröffentlicht: (2013)

Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов
von: Демиховский, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Резонансное изменение кинетических коэффициентов в двумерной электронной системе со спин-орбитальным взаимодействием
von: Ляпилин, И.И.
Veröffentlicht: (2009)

Configuration interaction in delta-doped heterostructures
von: Rozhansky, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Doping effect on the evolution of the pairing symmetry in n-type superconductor near antiferromagnetic phase boundary
von: Charikova, T.B., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Влияние ориентации магнитного поля и беспорядка на майорановскую поляризацию в проволоках с топологической сверхпроводимостью
von: Вальков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Вступление
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2015)

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Вклад спинового упорядочения электронных состояний примесей железа, кобальта и никеля в низкотемпературную магнитную восприимчивость кристаллов селенида ртути
von: Говоркова, Т.Е., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
von: Gudina, S.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
von: Рожанский, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb₁₋yFeyTe
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
von: Петров, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Мягкие рентгеновские эмиссионные спектры и ферромагнетизм в широкозонных легированных полупроводниках
von: Суркова, Т.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
von: Козлов, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Ультразвуковые исследования эффекта Яна-Теллера в кристалле ZnSe:Fe²⁺
von: Гудков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)