Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках
Теоретически исследовано взаимодействие уединенного импульса упругой деформации (акустического солитона) с локализованными дырками в низкоразмерных структурах на основе кремния. Показано, что прохождение солитона через область локализации дырки переводит ее из одного квантовомеханического состояния...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118519 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках / Н.С. Аверкиев, И.В. Рожанский, С.А. Тарасенко, М.Б. Лифшиц // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 251–257. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118519 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Аверкиев, Н.С. Рожанский, И.В. Тарасенко, С.А. Лифшиц, М.Б. 2017-05-30T14:52:06Z 2017-05-30T14:52:06Z 2011 Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках / Н.С. Аверкиев, И.В. Рожанский, С.А. Тарасенко, М.Б. Лифшиц // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 251–257. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 74.20.hb, 63.20.K–, 78.67.De https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118519 Теоретически исследовано взаимодействие уединенного импульса упругой деформации (акустического солитона) с локализованными дырками в низкоразмерных структурах на основе кремния. Показано, что прохождение солитона через область локализации дырки переводит ее из одного квантовомеханического состояния в другое, которое характеризуется другой проекцией углового момента. Эффект обусловлен расщеплением вырожденного в отсутствие возмущения основного состояния дырки под действием упругой деформации. Детальный микроскопический расчет эффекта акустического переключения квантово-механических состояний проведен для дырок, локализованных в квантовой точке или на мелкой примеси акцепторного типа в квантовой яме. Продемонстрировано, что амплитуда акустического солитона, необходимая для полного переворота проекции углового момента дырки, соответствует амплитуде характерных импульсов деформации, создаваемых в экспериментах. Теоретично досліджено взаємодію відокремленого імпульсу пружної деформації (акустичного солітона) з локалізованими дірками в низькорозмірних структурах на основі кремнію. Показано, що проходження солітона через область локалізації дірки переводить її з одного квантово-механічного стану в інше, яке характеризується іншою проекцією кутового моменту. Ефект обумовлений розщепленням виродженого у відсутності збурювання основного стану дірки під дією пружної деформації. Детальний мікроскопічний розрахунок ефекту акустичного перемикання квантово-механічних станів проведено для дірок, локалізованих у квантовій точці або на дрібній домішці акцепторного типу у квантовій ямі. Продемонстровано, що амплітуда акустичного солітона, яка необхідна для повного перевороту проекції кутового моменту дірки, відповідає амплітуді характерних імпульсів деформації, що створюються в експериментах. The interaction between solitary strain pulse (acoustic soliton) and localized holes in silicon-based nanostructures is studied theoretically. It is shown that the acoustic soliton propagating through the hole localization area changes the hole state to that with a different projection of angular momentum. The microscopic mechanism of the effect is related to the valence band splitting by local elastic strain. We have studied such a state conversion for holes in a quantum dot or localized at acceptors in a quantum well. It is shown that the strain amplitude required for the complete switching of the hole state corresponds to strain pulses studied experimentally. Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ, научных программ РАН, грантов Правительства Санкт-Петербурга, президента РФ для поддержки молодых российских ученых (MD-1717.2009.2) и фонда «Династия» – МЦФФМ. ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках Acoustic conversion of quantum states in semiconductors Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках |
| spellingShingle |
Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках Аверкиев, Н.С. Рожанский, И.В. Тарасенко, С.А. Лифшиц, М.Б. XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title_short |
Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках |
| title_full |
Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках |
| title_fullStr |
Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках |
| title_full_unstemmed |
Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках |
| title_sort |
акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках |
| author |
Аверкиев, Н.С. Рожанский, И.В. Тарасенко, С.А. Лифшиц, М.Б. |
| author_facet |
Аверкиев, Н.С. Рожанский, И.В. Тарасенко, С.А. Лифшиц, М.Б. |
| topic |
XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet |
XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Acoustic conversion of quantum states in semiconductors |
| description |
Теоретически исследовано взаимодействие уединенного импульса упругой деформации (акустического солитона) с локализованными дырками в низкоразмерных структурах на основе кремния. Показано, что прохождение солитона через область локализации дырки переводит ее из одного квантовомеханического состояния в другое, которое характеризуется другой проекцией углового момента. Эффект обусловлен расщеплением вырожденного в отсутствие возмущения основного состояния дырки под действием упругой деформации. Детальный микроскопический расчет эффекта акустического переключения квантово-механических состояний проведен для дырок, локализованных в квантовой точке или на мелкой примеси акцепторного типа в квантовой яме. Продемонстрировано, что амплитуда акустического солитона, необходимая для полного переворота проекции углового момента дырки, соответствует амплитуде характерных импульсов деформации, создаваемых в экспериментах.
Теоретично досліджено взаємодію відокремленого імпульсу пружної деформації (акустичного солітона) з локалізованими дірками в низькорозмірних структурах на основі кремнію. Показано, що проходження солітона через область локалізації дірки переводить її з одного квантово-механічного стану в інше, яке характеризується іншою проекцією кутового моменту. Ефект обумовлений розщепленням виродженого у відсутності збурювання основного стану дірки під дією пружної деформації. Детальний мікроскопічний розрахунок ефекту акустичного перемикання квантово-механічних станів проведено для дірок, локалізованих у квантовій точці або на дрібній домішці акцепторного типу у квантовій ямі. Продемонстровано, що амплітуда акустичного солітона, яка необхідна для повного перевороту проекції кутового моменту дірки, відповідає амплітуді характерних імпульсів деформації, що створюються в експериментах.
The interaction between solitary strain pulse (acoustic soliton) and localized holes in silicon-based nanostructures is studied theoretically. It is shown that the acoustic soliton propagating through the hole localization area changes the hole state to that with a different projection of angular momentum. The microscopic mechanism of the effect is related to the valence band splitting by local elastic strain. We have studied such a state conversion for holes in a quantum dot or localized at acceptors in a quantum well. It is shown that the strain amplitude required for the complete switching of the hole state corresponds to strain pulses studied experimentally.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118519 |
| citation_txt |
Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках / Н.С. Аверкиев, И.В. Рожанский, С.А. Тарасенко, М.Б. Лифшиц // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 251–257. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT averkievns akustičeskoepereklûčeniekvantovyhsostoâniivpoluprovodnikah AT rožanskiiiv akustičeskoepereklûčeniekvantovyhsostoâniivpoluprovodnikah AT tarasenkosa akustičeskoepereklûčeniekvantovyhsostoâniivpoluprovodnikah AT lifšicmb akustičeskoepereklûčeniekvantovyhsostoâniivpoluprovodnikah AT averkievns acousticconversionofquantumstatesinsemiconductors AT rožanskiiiv acousticconversionofquantumstatesinsemiconductors AT tarasenkosa acousticconversionofquantumstatesinsemiconductors AT lifšicmb acousticconversionofquantumstatesinsemiconductors |
| first_indexed |
2025-12-07T19:06:15Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:06:15Z |
| _version_ |
1850877543077380096 |