Buchumschlag

Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках

Теоретически исследовано взаимодействие уединенного импульса упругой деформации (акустического солитона) с локализованными дырками в низкоразмерных структурах на основе кремния. Показано, что прохождение солитона через область локализации дырки переводит ее из одного квантовомеханического состояния...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Физика низких температур
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Аверкиев, Н.С., Рожанский, И.В., Тарасенко, С.А., Лифшиц, М.Б.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2011
Schlagworte:	XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118519
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках / Н.С. Аверкиев, И.В. Рожанский, С.А. Тарасенко, М.Б. Лифшиц // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 251–257. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
von: Окулов, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
von: Рожанский, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
von: Петров, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Электронная структура дырочных центров в CuO₂ плоскостях купратов
von: Москвин, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
von: Godlewski, M., et al.
Veröffentlicht: (2011)

О некоторых экспериментальных методах и трюках
von: Долгополов, В.Т.
Veröffentlicht: (2011)

Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
von: Robouch, B.V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
von: Charikova, T.B., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Бозе-эйнштейновская конденсация диполярных экситонов в латеральных ловушках
von: Тимофеев, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2011)

XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2011)

Сверхпроводимость и спектроскопия гомо- и гетерофуллеридов щелочных металлов и таллия
von: Кульбачинский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Свойства оксида цинка при низких и средних температурах
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Мягкие рентгеновские эмиссионные спектры и ферромагнетизм в широкозонных легированных полупроводниках
von: Суркова, Т.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
von: Квон, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Экспериментальное обнаружение квантовых осцилляций аномального холловского сопротивления в кристаллах селенида ртути с примесями кобальта
von: Лончаков, А.Т., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Релаксация спина марганца в ферромагнитном (Ga,Mn)As
von: Крайнов, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
von: Говоркова, Т.Е., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Вклад спинового упорядочения электронных состояний примесей железа, кобальта и никеля в низкотемпературную магнитную восприимчивость кристаллов селенида ртути
von: Говоркова, Т.Е., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние ориентации магнитного поля и беспорядка на майорановскую поляризацию в проволоках с топологической сверхпроводимостью
von: Вальков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Квантовый эффект Холла в двойной квантовой яме InAs/AlSb
von: Якунин, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
von: Савельев, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле
von: Вальков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
von: Вальков, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Обнаружение и интерпретация низкотемпературных особенностей фононной теплопроводности кристаллов селенида ртути с примесями переходных 3d-элементов
von: Лончаков, А.Т., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
von: Арапов, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия
von: Клепикова, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
von: Козлов, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Новые проявления псевдощелевого состояния и спинового рассеяния электронов в низкотемпературных тепловых свойствах сплавов железо–ванадий–алюминий почти стехиометрического состава
von: Лончаков, А.Т., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
von: Парфеньев, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
von: Козлов, Д.А., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов
von: Демиховский, В.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
von: Скипетров, Е.П., et al.
Veröffentlicht: (2015)

XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2004)

Спиновые эффекты и квантовые поправки к проводимости двумерных систем
von: Германенко, А.В.
Veröffentlicht: (2009)

Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
von: Лашкарев, Г.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)