XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118521 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников / В.И. Окулов // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 227-228. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859686219451990016 |
|---|---|
| author | Окулов, В.И. |
| author_facet | Окулов, В.И. |
| citation_txt | XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников / В.И. Окулов // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 227-228. — рос. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Физика низких температур |
| first_indexed | 2025-11-30T22:39:27Z |
| format | Article |
| fulltext |
© В.И. Окулов, 2011
XVIII Уральская международная зимняя школа по
физике полупроводников
В настоящем выпуске журнала публикуются ста-
тьи, написанные по материалам лекций и докладов
XVIII Уральской международной зимней школы по
физике полупроводников, которая проводилась с 15
по 20 февраля 2010 года в окрестностях города Ново-
уральск Свердловской области. Уральские зимние
школы по физике полупроводников имеют давние
традиции, зародившиеся в 60-х годах прошлого века в
лаборатории полупроводников и полуметаллов Ин-
ститута физики металлов УрО РАН под руководством
академика И.М. Цидильковского. С 2004 года в жур-
нале «Физика низких температур» публикуются мате-
риалов школы в виде статей специального выпуска.
Для этого есть достаточно веские основания, посколь-
ку публикуемые статьи по актуальности тематики и
научному уровню содержания вполне отвечают по-
требностям специалистов в области физики низких
температур и смежных областей.
Программа 18-й школы включала около 40 при-
глашенных докладов, представленных в виде лекций
или обзорных докладов. Они относились к разделам
физики полупроводников, отвечающим тематическо-
му профилю школы, в который входят электронные
свойства низкоразмерных систем, структура и свой-
ства полупроводников с примесями переходных эле-
ментов, новые электронные явления и материалы. Пре-
зентации половины докладов можно найти на сайте
http://conference.imp.uran.ru//ru//semicond-school-2010/
Темы докладов в разделе «Электронные свойства
низкоразмерных систем» были сконцентрированы во-
круг проблем квантового эффекта Холла и квантовых
осцилляций проводимости двумерных систем. Обсуж-
дались коллективные электронные состояния и свой-
ства двумерных систем, возникающие в режиме дроб-
ного квантового эффекта Холла, неравновесные маг-
нитотранспортные явления в двумерных системах,
спиновый квантовый эффект Холла, теоретическое
описание электронных свойств неупорядоченного и
пространственно ограниченного графена. Подробный
доклад по физике и теории дробного квантового эф-
фекта Холла был сделан И.В. Кукушкиным. Активно
прошла дискуссия, организованная в рамках круглого
стола по проблемам теории электронных свойств дву-
мерных систем, участники которой пришли к выводу,
что на сегодняшний день в физике низкоразмерных
систем остается много нерешенных до конца вопросов
и некоторое снижение активности в исследованиях
традиционных материалов и структур связано с по-
явлением новых объектов — графена, графана, пник-
тидов и других. По материалам этого раздела в на-
стоящем выпуске публикуются статьи З.Д. Квона с
соавторами и В.Т. Долгополова. Первая из них посвя-
щена экспериментальным исследованиям электронных
двумерных систем в гетероструктурах на основе тел-
лурида ртути. В ней описаны результаты наблюдений
и исследований полуметаллического состояния в таких
системах. В статье В.Т. Долгополова решается ориги-
нальная задача представить различные эксперимен-
тальные методы и приемы, использованные автором и
его коллегами при исследовании двумерных электрон-
ных систем, для распространения полученного опыта в
других областях физики.
Вступление
228 Физика низких температур, 2011, т. 37, № 3
В разделе «Структура и свойства полупроводников
с примесями переходных элементов» были представ-
лены доклады, посвященные проблемам влияния маг-
нитных примесей на кинетические, оптические и аку-
стические свойства полупроводников. В значительной
их части рассмотрены различные аспекты взаимодей-
ствия магнитных ионов марганца с носителями тока в
трехмерных и двумерных системах. Физические явле-
ния, связанные с легированием полупроводников дру-
гими примесями переходных элементов, рассмотрены
в статьях, публикуемых в настоящем выпуске. В статье
Е.П. Скипетрова с соавторами изложены результаты
исследований электронных и магнитных свойств со-
единений PbGeTe и PbSnTe с примесями хрома, в кото-
рых обнаружены концентрационные и магнитополевые
аномалии, связанные с существованием резонансного
энергетического d-уровня примесей. Статья В.И. Оку-
лова с соавторами посвящена экспериментальному изу-
чению и теоретическому описанию электронной тепло-
емкости полупроводника с учетом гибридизации
электронных примесных d-состояний в полосе прово-
димости. К тематике этого раздела по существу отно-
сится и статья В. Робуша (V. Robouсh) c соавторами,
посвященная решению актуальных проблем определе-
ния кристаллической структуры сложных систем, со-
держащих атомы переходных элементов.
На заседаниях школы по разделу «Новые электрон-
ные явления и материалы» был представлен обзорный
доклад В.Б. Тимофеева, который посвящен бозе-эйн-
штейновской конденсации диполярных экситонов —
интереснейшему явлению, возникающему в двумерных
системах при осуществлении пространственного разде-
ления электронных и дырочных слоев. Статья В.Б. Ти-
мофеева с соавторами, написанная по материалам этого
доклада, открывает настоящий специальный выпуск
журнала. В рамках этого же раздела на школе обсужда-
лись физические свойства высокотемпературных сверх-
проводников. В докладе В.Ф. Гантмахера дан обзор
исследований явления квантовых фазовых переходов
сверхпроводник–изолятор, которые стали по существу
зародышем формирования новой специфической об-
ласти физики низких температур. В докладе М.В. Са-
довского рассмотрены физические свойства новых же-
лезосодержащих сверхпроводников, в частности,
проанализированы соотношения щелей дырочной и
электронной поверхностей Ферми и показано, что экс-
периментально наблюдавшиеся их значения могут
быть объяснены на основе имеющихся теоретических
представлений. Новым классам сверхпроводящих ма-
териалов и структурных типов соединений также был
посвящен доклад В.А. Кульбачинского, по материалам
которого представлена статья настоящего выпуска.
Другие публикуемые статьи по свойствам сверхпро-
водников касаются купратных соединений. В статье
А.С. Москвина и А.Д. Панова обсуждается природа
состояния допированной дырки в купратах на основе
экспериментальных данных и предложенной теорети-
ческой модели. Статья Т.Б. Чариковой с соавторами
посвящена описанию экспериментов на монокристал-
лах NdCeCuO, позволяющих проанализировать влия-
ние беспорядка на сверхпроводимость в квазидвумер-
ных соединениях.
Ряд докладов школы был посвящен изложению ре-
зультатов, актуальных с точки зрения технических
приложений или технологий получения материалов
для экспериментов. В докладе Д.Р. Хохлова были рас-
смотрены возможности создания высокочувствитель-
ных приемников терагерцового излучения для решения
важных прикладных задач. С.А. Дворецкий рассказал
о технологических достижениях и проблемах в выра-
щивании гетероструктур на основе теллурида ртути —
полученных недавно в Институте физики полупро-
водников СО РАН важнейших результатах, которые
обеспечили скачок в развитии исследований двумер-
ных систем, заметный и на данной школе. С.В. Ивано-
вым был представлен доклад о свойствах твердых рас-
творов AlN–GaN–InN, полученных с использованием
низкотемпературной технологии молекулярно-пучко-
вой эпитаксии с плазменной активацией. В докладе
Ю.Г. Садофьева обсуждалась фотолюминесценция на
системе напряженных квантовых ям GaAsSb/GaAs,
которая в перспективе может применяться для изго-
товления инжекционных лазеров с длиной волны
1,3 мкм. В настоящем выпуске публикуется написан-
ная по докладу школы статья Н.С. Аверкиева с соав-
торами, в которой предсказан акустический эффект
переключения, вызываемый воздействием солитонов
на примесную систему полупроводника. Серьезного
внимания заслуживают также публикуемые статьи,
посвященные свойствам оксида цинка. В статье
Г.В. Лашкарева с соавторами обсуждается оксид цин-
ка как материал, который привлекает исследователей
в силу своих уникальных свойств и в то же время име-
ет в перспективе широкие возможности для техниче-
ских применений. Интересный материал, посвящен-
ный применению оксида цинка, представлен в статье
М. Годлевского (M. Godlewski) с соавторами, в кото-
рой рассмотрены и магнитные свойства кристалла,
легированного 3d-элементами.
В целом содержание данного специального выпуска
вполне отражает современное состояние исследований
в соответствующих направлениях низкотемпературной
физики твердого тела и поэтому заслуживает внимания
читателей журнала «Физика низких температур».
В.И. Окулов
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118521 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 0132-6414 |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-11-30T22:39:27Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Окулов, В.И. 2017-05-30T14:53:55Z 2017-05-30T14:53:55Z 2011 XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников / В.И. Окулов // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 227-228. — рос. 0132-6414 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118521 ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Article published earlier |
| spellingShingle | XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Окулов, В.И. XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title | XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title_full | XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title_fullStr | XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title_full_unstemmed | XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title_short | XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title_sort | xviii уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic | XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet | XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118521 |
| work_keys_str_mv | AT okulovvi xviiiuralʹskaâmeždunarodnaâzimnââškolapofizikepoluprovodnikov |