Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
Дан обзор первых результатов по исследованию новой двумерной электронной системы — двумерного полуметалла (ДП), обнаруженного в широких квантовых ямах на основе теллурида ртути, обладающих инвертированным зонным спектром. Приводятся результаты магнитотранспортных экспериментов, позволяющих сделать о...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | Квон, З.Д., Ольшанецкий, Е.Б., Козлов, Д.А., Новик, Е.Г., Михайлов, Н.Н., Дворецкий, С.А. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118522 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe / З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Д.А. Козлов, Е.Г. Новик, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 258–268. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017)
Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках
за авторством: Аверкиев, Н.С., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Аверкиев, Н.С., та інші
Опубліковано: (2011)
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
за авторством: Петров, П.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Петров, П.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2011)
О некоторых экспериментальных методах и трюках
за авторством: Долгополов, В.Т.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Долгополов, В.Т.
Опубліковано: (2011)
Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
за авторством: Robouch, B.V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Robouch, B.V., та інші
Опубліковано: (2011)
Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
Бозе-эйнштейновская конденсация диполярных экситонов в латеральных ловушках
за авторством: Тимофеев, В.Б., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Тимофеев, В.Б., та інші
Опубліковано: (2011)
Электронная структура дырочных центров в CuO₂ плоскостях купратов
за авторством: Москвин, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Москвин, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2011)
Сверхпроводимость и спектроскопия гомо- и гетерофуллеридов щелочных металлов и таллия
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)
Свойства оксида цинка при низких и средних температурах
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2011)
Экспериментальное обнаружение квантовых осцилляций аномального холловского сопротивления в кристаллах селенида ртути с примесями кобальта
за авторством: Лончаков, А.Т., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Лончаков, А.Т., та інші
Опубліковано: (2017)
Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)
Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2013)
Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb₁₋yFeyTe
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов
за авторством: Демиховский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Демиховский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Новые проявления псевдощелевого состояния и спинового рассеяния электронов в низкотемпературных тепловых свойствах сплавов железо–ванадий–алюминий почти стехиометрического состава
за авторством: Лончаков, А.Т., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Лончаков, А.Т., та інші
Опубліковано: (2015)
Вклад спинового упорядочения электронных состояний примесей железа, кобальта и никеля в низкотемпературную магнитную восприимчивость кристаллов селенида ртути
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2015)
Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2017)
Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
за авторством: Парфеньев, Р.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Парфеньев, Р.В., та інші
Опубліковано: (2015)
XV Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2004)
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2004)
Спиновые эффекты и квантовые поправки к проводимости двумерных систем
за авторством: Германенко, А.В.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Германенко, А.В.
Опубліковано: (2009)
Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Особенности ферромагнитного упорядочения в разбавленных магнитных диэлектриках
за авторством: Кикоин, К.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Кикоин, К.
Опубліковано: (2009)
XVII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2009)
Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью
за авторством: Гантмахер, В.Ф.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Гантмахер, В.Ф.
Опубліковано: (2013)
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
On origin of room temperature ferromagnetism in wide gap semiconductors
за авторством: Korbecka, Anna, та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Korbecka, Anna, та інші
Опубліковано: (2009)
Проявление переходов с переносом заряда в спектрах фотолюминесценции оксидных материалов Zn₁–xMexO (Me — Mn, Ni, Co)
за авторством: Соколов, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Соколов, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)
The mixed-state Hall conductivity of single-crystal films Nd₂–xCexCuO₄₊δ (x = 0.14)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Shelushinina, N.G., та інші
Опубліковано: (2017)
Схожі ресурси
-
Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009) -
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015) -
Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2017) -
Акустическое переключение квантовых состояний в полупроводниках
за авторством: Аверкиев, Н.С., та інші
Опубліковано: (2011) -
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)