Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
Дан обзор первых результатов по исследованию новой двумерной электронной системы — двумерного полуметалла (ДП), обнаруженного в широких квантовых ямах на основе теллурида ртути, обладающих инвертированным зонным спектром. Приводятся результаты магнитотранспортных экспериментов, позволяющих сделать о...
Saved in:
| Published in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Date: | 2011 |
| Main Authors: | Квон, З.Д., Ольшанецкий, Е.Б., Козлов, Д.А., Новик, Е.Г., Михайлов, Н.Н., Дворецкий, С.А. |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2011
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118522 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe / З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Д.А. Козлов, Е.Г. Новик, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 258–268. — Бібліогр.: 16 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
by: Квон, З.Д., et al.
Published: (2009)
by: Квон, З.Д., et al.
Published: (2009)
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
by: Козлов, Д.А., et al.
Published: (2015)
by: Козлов, Д.А., et al.
Published: (2015)
Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
by: Козлов, Д.А., et al.
Published: (2017)
by: Козлов, Д.А., et al.
Published: (2017)
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
by: Петров, П.В., et al.
Published: (2015)
by: Петров, П.В., et al.
Published: (2015)
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
by: Gudina, S.V., et al.
Published: (2017)
by: Gudina, S.V., et al.
Published: (2017)
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
by: Скипетров, Е.П., et al.
Published: (2011)
by: Скипетров, Е.П., et al.
Published: (2011)
Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
by: Окулов, В.И., et al.
Published: (2011)
by: Окулов, В.И., et al.
Published: (2011)
Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
by: Robouch, B.V., et al.
Published: (2011)
by: Robouch, B.V., et al.
Published: (2011)
XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
by: Окулов, В.И.
Published: (2011)
by: Окулов, В.И.
Published: (2011)
Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
by: Godlewski, M., et al.
Published: (2011)
by: Godlewski, M., et al.
Published: (2011)
Электронная структура дырочных центров в CuO₂ плоскостях купратов
by: Москвин, А.С., et al.
Published: (2011)
by: Москвин, А.С., et al.
Published: (2011)
Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
by: Charikova, T.B., et al.
Published: (2011)
by: Charikova, T.B., et al.
Published: (2011)
Бозе-эйнштейновская конденсация диполярных экситонов в латеральных ловушках
by: Тимофеев, В.Б., et al.
Published: (2011)
by: Тимофеев, В.Б., et al.
Published: (2011)
О некоторых экспериментальных методах и трюках
by: Долгополов, В.Т.
Published: (2011)
by: Долгополов, В.Т.
Published: (2011)
Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
by: Скипетров, Е.П., et al.
Published: (2015)
by: Скипетров, Е.П., et al.
Published: (2015)
Электронная структура сплавов на основе теллурида свинца, легированных ванадием
by: Скипетров, Е.П., et al.
Published: (2013)
by: Скипетров, Е.П., et al.
Published: (2013)
Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb₁₋yFeyTe
by: Скипетров, Е.П., et al.
Published: (2017)
by: Скипетров, Е.П., et al.
Published: (2017)
Эффект Фано при туннелировании спин-поляризованного электрона через одиночную магнитную примесь
by: Вальков, В.В., et al.
Published: (2013)
by: Вальков, В.В., et al.
Published: (2013)
Квантовый транспорт через многоуровневую магнитную структуру при учете процессов многократного неупругого рассеяния в магнитном поле
by: Вальков, В.В., et al.
Published: (2015)
by: Вальков, В.В., et al.
Published: (2015)
Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов
by: Демиховский, В.Я., et al.
Published: (2013)
by: Демиховский, В.Я., et al.
Published: (2013)
Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
by: Лашкарев, Г.В., et al.
Published: (2009)
by: Лашкарев, Г.В., et al.
Published: (2009)
Вклад спинового упорядочения электронных состояний примесей железа, кобальта и никеля в низкотемпературную магнитную восприимчивость кристаллов селенида ртути
by: Говоркова, Т.Е., et al.
Published: (2015)
by: Говоркова, Т.Е., et al.
Published: (2015)
Новые проявления псевдощелевого состояния и спинового рассеяния электронов в низкотемпературных тепловых свойствах сплавов железо–ванадий–алюминий почти стехиометрического состава
by: Лончаков, А.Т., et al.
Published: (2015)
by: Лончаков, А.Т., et al.
Published: (2015)
Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
by: Говоркова, Т.Е., et al.
Published: (2017)
by: Говоркова, Т.Е., et al.
Published: (2017)
Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью
by: Гантмахер, В.Ф.
Published: (2013)
by: Гантмахер, В.Ф.
Published: (2013)
Вступление
by: Окулов, В.И.
Published: (2017)
by: Окулов, В.И.
Published: (2017)
Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
by: Кульбачинский, В.А., et al.
Published: (2015)
by: Кульбачинский, В.А., et al.
Published: (2015)
Особенности ферромагнитного упорядочения в разбавленных магнитных диэлектриках
by: Кикоин, К.
Published: (2009)
by: Кикоин, К.
Published: (2009)
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
by: Парфеньев, Р.В., et al.
Published: (2015)
by: Парфеньев, Р.В., et al.
Published: (2015)
Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
by: Лашкарев, Г.В., et al.
Published: (2015)
by: Лашкарев, Г.В., et al.
Published: (2015)
Doped nanoparticles for optoelectronics applications
by: Godlewski, M., et al.
Published: (2009)
by: Godlewski, M., et al.
Published: (2009)
Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram
by: Kagalovsky, V.
Published: (2013)
by: Kagalovsky, V.
Published: (2013)
Резонансное изменение кинетических коэффициентов в двумерной электронной системе со спин-орбитальным взаимодействием
by: Ляпилин, И.И.
Published: (2009)
by: Ляпилин, И.И.
Published: (2009)
Configuration interaction in delta-doped heterostructures
by: Rozhansky, I.V., et al.
Published: (2013)
by: Rozhansky, I.V., et al.
Published: (2013)
Doping effect on the evolution of the pairing symmetry in n-type superconductor near antiferromagnetic phase boundary
by: Charikova, T.B., et al.
Published: (2015)
by: Charikova, T.B., et al.
Published: (2015)
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2009)
Влияние ориентации магнитного поля и беспорядка на майорановскую поляризацию в проволоках с топологической сверхпроводимостью
by: Вальков, В.В., et al.
Published: (2017)
by: Вальков, В.В., et al.
Published: (2017)
Вступление
by: Окулов, В.И.
Published: (2015)
by: Окулов, В.И.
Published: (2015)
Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
by: Арапов, Ю.Г., et al.
Published: (2015)
Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
by: Рожанский, И.В., et al.
Published: (2009)
by: Рожанский, И.В., et al.
Published: (2009)
Similar Items
-
Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
by: Квон, З.Д., et al.
Published: (2009) -
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
by: Козлов, Д.А., et al.
Published: (2015) -
Квантовая емкость трехмерного топологического изолятора на основе HgTe
by: Козлов, Д.А., et al.
Published: (2017) -
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
by: Петров, П.В., et al.
Published: (2015) -
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
by: Gudina, S.V., et al.
Published: (2017)