Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные и осцилляционные свойства сплавов Pb1–x–ySnxCryTe (x = 0; 0,05–0,30; y ≤ 0,01) при вариации состава матрицы и концентрации примеси хрома. Показано, что примесные атомы хрома растворяются в решетке в количестве не менее 1 мол.%, а дальн...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Физика низких температур |
|---|---|
| Datum: | 2011 |
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2011
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118524 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома / Е.П. Скипетров, Н.А. Пичугин, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 269–280. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-118524 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Скипетров, Е.П. Пичугин, Н.А. Слынько, Е.И. Слынько, В.Е. 2017-05-30T14:56:30Z 2017-05-30T14:56:30Z 2011 Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома / Е.П. Скипетров, Н.А. Пичугин, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 269–280. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 71.20.Nr, 71.55.–i, 72.20.My, 75.50.Pp https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118524 Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные и осцилляционные свойства сплавов Pb1–x–ySnxCryTe (x = 0; 0,05–0,30; y ≤ 0,01) при вариации состава матрицы и концентрации примеси хрома. Показано, что примесные атомы хрома растворяются в решетке в количестве не менее 1 мол.%, а дальнейшее увеличение концентрации хрома приводит к появлению микроскопических областей с повышенным содержанием хрома и включений соединений хрома с теллуром. Обнаружены уменьшение концентрации дырок, p–n-конверсия типа проводимости и стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем хрома при увеличении содержания хрома. Определены начальные скорости изменения концентрации носителей заряда при легировании. В рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и уровня Ферми от концентрации олова и предложена диаграмма перестройки электронной структуры легированных хромом сплавов при изменении состава матрицы. Досліджено кристалічну структуру, склад, гальваномагнітні й осциляційні властивості сплавів Pb1–x–ySnxСryTe (x = 0; 0,05–0,30; y ≤ 0,01) при варіації склада матриці й концентрації домішки хрому. Показано, що домішкові атоми хрому розчиняються в гратці в кількості не менш 1 мол.%, а подальше збільшення концентрації хрому приводить до появи мікроскопічних областей з підвищеним вмістом хрому й включень сполук хрому з телуром. Виявлено зменшення концентрації дірок, p–n-конверсія типу провідності й стабілізація рівня Фермі резонансним рівнем хрому при збільшенні вмісту хрому. Визначено початкові швидкості зміни концентрації носіїв заряду при легуванні. У рамках двозонного закону дисперсії Кейна розраховані залежності концентрації електронів і рівня Фермі від концентрації олова й запропонована діаграма перебудови електронної структури легованих хромом сплавів при зміні складу матриці. The crystal structure, composition, galvanomagnetic and oscillatory properties of the Pb1–x–ySnxCryTe (x = 0, 0.05–0.30, y ≤ 0.01) alloys have been investigated with varying matrix composition and chromium impurity concentration. It is shown that the chromium impurity atoms dissolve in the crystal lattice at least up to 1 mol.%. The following increase of the chromium concentration leads to the appearance of microscopic regions enriched with chromium and inclusions of Cr–Te compounds. A decrease of the hole concentration, a p–n-conversion of the conductivity type and a pinning of the Fermi level by the chromium resonant level are observed with increasing chromium content. Initial rates of changes in the free carrier concentration on doping are determined. The dependences of electron concentration and Fermi level on tin content are calculated by the two-band Kane dispersion relation. A diagram of electronic structure rearrangement for the chromium-doped alloys with varying the matrix composition is proposed. Авторы выражают глубокую благодарность А.В. Кнотько за исследование образцов на растровом электронном микроскопе и С.А. Ибрагимову за проведение рентгеновских исследований. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 08-02-01364). ru Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України Физика низких температур XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома Electronic structure of chromium-doped lead telluride-based diluted magnetic semiconductors Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома |
| spellingShingle |
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома Скипетров, Е.П. Пичугин, Н.А. Слынько, Е.И. Слынько, В.Е. XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| title_short |
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома |
| title_full |
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома |
| title_fullStr |
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома |
| title_full_unstemmed |
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома |
| title_sort |
электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома |
| author |
Скипетров, Е.П. Пичугин, Н.А. Слынько, Е.И. Слынько, В.Е. |
| author_facet |
Скипетров, Е.П. Пичугин, Н.А. Слынько, Е.И. Слынько, В.Е. |
| topic |
XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| topic_facet |
XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников |
| publishDate |
2011 |
| language |
Russian |
| container_title |
Физика низких температур |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Electronic structure of chromium-doped lead telluride-based diluted magnetic semiconductors |
| description |
Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные и осцилляционные свойства сплавов Pb1–x–ySnxCryTe (x = 0; 0,05–0,30; y ≤ 0,01) при вариации состава матрицы и концентрации примеси хрома. Показано, что примесные атомы хрома растворяются в решетке в количестве не менее 1 мол.%, а дальнейшее увеличение концентрации хрома приводит к появлению микроскопических областей с повышенным содержанием хрома и включений соединений хрома с теллуром. Обнаружены уменьшение концентрации дырок, p–n-конверсия типа проводимости и стабилизация уровня Ферми резонансным уровнем хрома при увеличении содержания хрома. Определены начальные скорости изменения концентрации носителей заряда при легировании. В рамках двухзонного закона дисперсии Кейна рассчитаны зависимости концентрации электронов и уровня Ферми от концентрации олова и предложена диаграмма перестройки электронной структуры легированных хромом сплавов при изменении состава матрицы.
Досліджено кристалічну структуру, склад, гальваномагнітні й осциляційні властивості сплавів Pb1–x–ySnxСryTe (x = 0; 0,05–0,30; y ≤ 0,01) при варіації склада матриці й концентрації домішки хрому. Показано, що домішкові атоми хрому розчиняються в гратці в кількості не менш 1 мол.%, а подальше збільшення концентрації хрому приводить до появи мікроскопічних областей з підвищеним вмістом хрому й включень сполук хрому з телуром. Виявлено зменшення концентрації дірок, p–n-конверсія типу провідності й стабілізація рівня Фермі резонансним рівнем хрому при збільшенні вмісту хрому. Визначено початкові швидкості зміни концентрації носіїв заряду при легуванні. У рамках двозонного закону дисперсії Кейна розраховані залежності концентрації електронів і рівня Фермі від концентрації олова й запропонована діаграма перебудови електронної структури легованих хромом сплавів при зміні складу матриці.
The crystal structure, composition, galvanomagnetic and oscillatory properties of the Pb1–x–ySnxCryTe (x = 0, 0.05–0.30, y ≤ 0.01) alloys have been investigated with varying matrix composition and chromium impurity concentration. It is shown that the chromium impurity atoms dissolve in the crystal lattice at least up to 1 mol.%. The following increase of the chromium concentration leads to the appearance of microscopic regions enriched with chromium and inclusions of Cr–Te compounds. A decrease of the hole concentration, a p–n-conversion of the conductivity type and a pinning of the Fermi level by the chromium resonant level are observed with increasing chromium content. Initial rates of changes in the free carrier concentration on doping are determined. The dependences of electron concentration and Fermi level on tin content are calculated by the two-band Kane dispersion relation. A diagram of electronic structure rearrangement for the chromium-doped alloys with varying the matrix composition is proposed.
|
| issn |
0132-6414 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118524 |
| citation_txt |
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома / Е.П. Скипетров, Н.А. Пичугин, Е.И. Слынько, В.Е. Слынько // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 269–280. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |
| work_keys_str_mv |
AT skipetrovep élektronnaâstrukturarazbavlennyhmagnitnyhpoluprovodnikovnaosnovetelluridasvincasprimesʹûhroma AT pičuginna élektronnaâstrukturarazbavlennyhmagnitnyhpoluprovodnikovnaosnovetelluridasvincasprimesʹûhroma AT slynʹkoei élektronnaâstrukturarazbavlennyhmagnitnyhpoluprovodnikovnaosnovetelluridasvincasprimesʹûhroma AT slynʹkove élektronnaâstrukturarazbavlennyhmagnitnyhpoluprovodnikovnaosnovetelluridasvincasprimesʹûhroma AT skipetrovep electronicstructureofchromiumdopedleadtelluridebaseddilutedmagneticsemiconductors AT pičuginna electronicstructureofchromiumdopedleadtelluridebaseddilutedmagneticsemiconductors AT slynʹkoei electronicstructureofchromiumdopedleadtelluridebaseddilutedmagneticsemiconductors AT slynʹkove electronicstructureofchromiumdopedleadtelluridebaseddilutedmagneticsemiconductors |
| first_indexed |
2025-12-02T10:52:05Z |
| last_indexed |
2025-12-02T10:52:05Z |
| _version_ |
1850862268003123200 |