Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
We discuss which x-ray absorption fine structure (EXAFS) data of binary doped CmIm' compound structures can be unfolded to determine elemental bond distances and the deviations from random configurations due to site preference occupations (SOPs). SOP-deviation estimations can be further confirm...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2011 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2011
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118525 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis / B.V. Robouch, A. Marcelli, P. Robouch, A. Kisiel // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 3. — С. 308–312. — Бібліогр.: 25 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Occupation preference values in doped CmIm' multinaries from EXAFS and FTIR correlative analysis
за авторством: B. V. Robouch, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: B. V. Robouch, та інші
Опубліковано: (2011)
Низкотемпературная аномалия вклада в теплоемкость гибридизированных электронных состояний на примесях переходного элемента
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Окулов, В.И., та інші
Опубліковано: (2011)
XVIII Уральская международная зимняя школа по физике полупроводников
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2011)
Электронная структура разбавленных магнитных полупроводников на основе теллурида свинца с примесью хрома
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Двумерный полуметалл в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2011)
Zinc oxide for electronic, photovoltaic and optoelectronic applications
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2011)
Электронная структура дырочных центров в CuO₂ плоскостях купратов
за авторством: Москвин, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Москвин, А.С., та інші
Опубліковано: (2011)
Anomalous behavior of the Hall effect in electron-doped superconductor Nd₂₋xCexCuO₄₊δ with nonstoichiometric disorder
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2011)
Бозе-эйнштейновская конденсация диполярных экситонов в латеральных ловушках
за авторством: Тимофеев, В.Б., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Тимофеев, В.Б., та інші
Опубліковано: (2011)
О некоторых экспериментальных методах и трюках
за авторством: Долгополов, В.Т.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Долгополов, В.Т.
Опубліковано: (2011)
Отсутствие перехода Андерсона в высокорезистивных сплавах с большой электронной плотностью
за авторством: Гантмахер, В.Ф.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Гантмахер, В.Ф.
Опубліковано: (2013)
Вступление
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2017)
Магниторазведенные ферромагнитные полупроводники на основе соединений II-VI, III-VI и IV-VI
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Процессы переноса электронов, низкотемпературные электрические и гальваномагнитные свойства пленок оксидов цинка и индия
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Новые данные и развитие представлений об электронной системе гибридизированных состояний примесных атомов кобальта в кристалле селенида ртути
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2017)
Особенности ферромагнитного упорядочения в разбавленных магнитных диэлектриках
за авторством: Кикоин, К.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Кикоин, К.
Опубліковано: (2009)
Влияние давления на параметры сверхпроводящего перехода в полупроводниковых твердых растворах PbzSn₁₋zTe, легированных In
за авторством: Парфеньев, Р.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Парфеньев, Р.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Свойства твердых растворов, легированных пленок и нанокомпозитных систем на основе оксида цинка
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Лашкарев, Г.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Doped nanoparticles for optoelectronics applications
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2009)
Levitation of delocalized states at weak magnetic field: critical exponents and phase diagram
за авторством: Kagalovsky, V.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kagalovsky, V.
Опубліковано: (2013)
Мезоскопические состояния в графене, находящемся в магнитном поле: коллапс и возрождение волновых пакетов
за авторством: Демиховский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Демиховский, В.Я., та інші
Опубліковано: (2013)
Резонансное изменение кинетических коэффициентов в двумерной электронной системе со спин-орбитальным взаимодействием
за авторством: Ляпилин, И.И.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Ляпилин, И.И.
Опубліковано: (2009)
Configuration interaction in delta-doped heterostructures
за авторством: Rozhansky, I.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Rozhansky, I.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Doping effect on the evolution of the pairing symmetry in n-type superconductor near antiferromagnetic phase boundary
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Charikova, T.B., та інші
Опубліковано: (2015)
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2009)
Влияние ориентации магнитного поля и беспорядка на майорановскую поляризацию в проволоках с топологической сверхпроводимостью
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Вальков, В.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Кинетика изменения концентрации носителей заряда при легировании в сплавах на основе теллурида свинца с примесями переходных металлов
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2015)
Вступление
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2015)
Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2015)
Вклад спинового упорядочения электронных состояний примесей железа, кобальта и никеля в низкотемпературную магнитную восприимчивость кристаллов селенида ртути
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Говоркова, Т.Е., та інші
Опубліковано: (2015)
Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Gudina, S.V., та інші
Опубліковано: (2017)
Спин-зависимая туннельная проводимость в 2D-структурах в нулевом магнитном поле
за авторством: Рожанский, И.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Рожанский, И.В., та інші
Опубліковано: (2009)
Термоэлектрические свойства, эффект Шубникова–де Гааза и подвижности носителей заряда в теллуридах и селенидах висмута–сурьмы и нанокомпозитах на их основе
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кульбачинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)
Магнитные свойства разбавленных магнитных полупроводников Pb₁₋yFeyTe
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Скипетров, Е.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Савельев, А.П., та інші
Опубліковано: (2017)
Двумерные электронные системы в квантовых ямах на основе HgTe
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Квон, З.Д., та інші
Опубліковано: (2009)
Спиновые и зарядовые явления, связанные с положительно заряженными акцепторами в квантовых ямах GaAs/AlGaAs
за авторством: Петров, П.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Петров, П.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Мягкие рентгеновские эмиссионные спектры и ферромагнетизм в широкозонных легированных полупроводниках
за авторством: Суркова, Т.П., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Суркова, Т.П., та інші
Опубліковано: (2009)
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Козлов, Д.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Ультразвуковые исследования эффекта Яна-Теллера в кристалле ZnSe:Fe²⁺
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Гудков, В.В., та інші
Опубліковано: (2009)