Buchumschlag

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals

We present the results of investigations concerning the effect caused by weak magnetic field (B = 15 mT and 60 mT) treatment on GaP and InP single crystals of impurity-defect composition. This effect was found when studying the radiative recombination (luminescence) spectr...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Milenin, V.V., Red’ko, R.A.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118555
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals / V.V. Milenin, R.A. Red’ko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 4. — С. 379-383. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
von: O. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Radiative recombination in initial and electron-irradiated GaP crystals
von: Hontaruk, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Effect of the microwave radiation treatment of porous indium phosphide on spectra of radiative recombination centers
von: Red’ko, R., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
von: Milenin, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
von: Milenin, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
von: Milenin, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
von: Круковський, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Influence of pulse magnetic fields treatment on optical properties of GaAs based films
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Effect of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of III-V single crystals
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Radiation influence on characteristics of GaP light emitting diodes
von: Borzakovskyj, A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
von: S. I. Krukovskij
Veröffentlicht: (2006)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
von: Krukovsky, S. I.
Veröffentlicht: (2026)

Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011)

Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
von: Сичікова, Я.О.
Veröffentlicht: (2011)

Physical mechanisms and models of long-term transformations of radiative recombination in n-GaAs due to the magnetic field treatments
von: G. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Physical mechanisms and models of the long-term transformations in radiative recombination observed in n-GaAs under microwave irradiation
von: G. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Formation of the regular porous structure of p-InP
von: Ja. A. Sychikova, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Low doses effect in GaP light-emitting diodes
von: O. M. Hontaruk, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Ultrasound influence on exciton emission of GaP light diodes
von: Gontaruk, O.M., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Crystal defects in epitaxial InP layers: electrical and scanning electron microscope study
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Surface distribution of the emitting intensity of GaP light-emitting diodes
von: O. V. Konoreva, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Peculiarities of optical absorption near-edge in irradiated GaP:Te
von: Konoreva, O., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Peculiarities of neutron irradiation influence on GaP light-emitting structures
von: Litovchenko, P., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Формирование регулярной пористой структуры р-InP
von: Сычикова, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

High-frequency electromagnetic radiation of germanium crystals in magnetic fields
von: Milenin, G.V., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Influence of weak magnetic fields treatment on photoluminescence of GaAs
von: Red'ko, S.M.
Veröffentlicht: (2014)

Radiative recombination in BiI₃(Mn) and BiI₃(Cr) layered single crystals
von: Motsnyi, F.V., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Study of recombination and electric properties of p-Si crystals irradiated with electrons
von: T. A. Pagava, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Influence of treatment in weak magnetic fields on photoluminescence of GaN:Si
von: Red’ko, S.M.
Veröffentlicht: (2015)

Influence of atomic disorder on the auger recombination rate in p-InGaN alloys
von: A. V. Zinovchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)