Локальные и квазилокальные уровни энергии электронов на поверхности нанотрубки и в кольце в магнитном поле

• Veröffentlicht in: Физика низких температур
• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Ермолаев, А.М., Кофанов, С.В., Рашба, Г.И.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2011
• Schlagworte: Наноструктуры при низких температурах
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118599
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Локальные и квазилокальные уровни энергии электронов на поверхности нанотрубки и в кольце в магнитном поле / А.М. Ермолаев, С.В. Кофанов, Г.И. Рашба // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 6. — С. 637–643. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Методом локальных возмущений И.М. Лифшица рассматриваются примесные состояния электронов на поверхности нанотрубки и в кольце в магнитном поле. Показано, что примесь на трубке в виде тонкого кольца способна образовать локальные и квазилокальные состояния электронов. Найдены положения примесных уровней и их ширины. Численные расчеты этих величин на трубках и кольцах выполнены для параметров полупроводниковых структур. Методом локальних збурень І.М. Ліфшиця розглядаються домішкові стани електронів на поверхні нанотрубки і в кільці у магнітному полі. Показано, що домішка на трубці у вигляді тонкого кільця здатна утворити локальні і квазілокальні стани електронів. Знайденo положення домішкових рівнів та їх ширини. Чисельні розрахунки цих величин на трубках і кільцях виконано для параметрів напівпровідникових структур. Impurity states of electrons in the quantum ring and on the nanotube surface were considered by means of the I.M. Lifshitz local perturbation method. Magnetic field was taken into account. It is shown, that a thin ring like impurity on the tube can form local and quasi-local electron states. The impurity levels widths and positions were found. Numerical analysis of these quantities on nanotubes and rings for semiconductor structure parameters is carried out.