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Electrical properties of fast cooled inse single crystals

Influence of fast cooling on electrical properties of n-InSe single crystals is investigated for an ingot grown by the Bridgman method. Electrical characteristics and their anisotropy are investigated in the temperature range 80 to 410 K. It is found that fast cooling, as...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2008
Hauptverfasser:	Zaslonkin, A.V., Kovalyuk, Z.D., Mintyanskii, I.V., Savitskii, P.I.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118658
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Electrical properties of fast cooled inse single crystals / A.V. Zaslonkin, Z.D. Kovalyuk, I.V. Mintyanskii, P.I. Savitskii // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 1. — С. 54-58. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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