Зображення обкладинки

Electrical properties of fast cooled inse single crystals

Influence of fast cooling on electrical properties of n-InSe single crystals is investigated for an ingot grown by the Bridgman method. Electrical characteristics and their anisotropy are investigated in the temperature range 80 to 410 K. It is found that fast cooling, as...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2008
Автори:	Zaslonkin, A.V., Kovalyuk, Z.D., Mintyanskii, I.V., Savitskii, P.I.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118658
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Electrical properties of fast cooled inse single crystals / A.V. Zaslonkin, Z.D. Kovalyuk, I.V. Mintyanskii, P.I. Savitskii // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 1. — С. 54-58. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Electrical properties of fast cooled InSe single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Structure and electrical properties of In₂Se₃Mn layered crystals
за авторством: Kaminskii, V.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2011)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)

Physical properties of layered FeIn₂Se₄ single crystals
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Electrical properties of InSe and Bi2Te3 layered single crystals intercalated with C3H8O3
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2015)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Electric properties of TlInS₂ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2006)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Low-temperature vibration characteristics in InSe single crystals intercalated by Ni
за авторством: A. Baran, та інші
Опубліковано: (2015)

Low-temperature vibration characteristics in InSe single crystals intercalated by Ni
за авторством: Baran, A., та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)

Numerical computation of incoherent bremsstrahlung from fast electrons in single crystals
за авторством: Shul’ga, N.F., та інші
Опубліковано: (2009)

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2022)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Crystal structure and electrical properties of Ag₆PS₅I single crystal
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)

The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Electrical properties of cation-substituted Ag₇(Si₁₋ₓGeₓ)S₅I single crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)

Thermal prehistory and electrical properties of tungstate crystals
за авторством: Shevchuk, V.N., та інші
Опубліковано: (2011)

Electrical and deilectric properties of CdWO₄ crystals
за авторством: Shevchuk, V.N., та інші
Опубліковано: (2006)

The peculiarity of electric conductance of KDP single crystals
за авторством: Levchenko, A.N., та інші
Опубліковано: (2009)

The influence of high energy irradiation on electrical and dissipative properties of silicon single crystals
за авторством: Pelikhaty, N.M., та інші
Опубліковано: (2006)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
за авторством: Katerinchuk, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)

Електричні властивості інтеркальованих шаруватих кристалів In2Se3
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2022)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2004)

Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
за авторством: Vora, A.M.
Опубліковано: (2020)

Borate single crystals for polyfunctional applications: production and properties
за авторством: Grinyov, B.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)

Transport properties of Lu₂Fe₁₇ single crystals under extreme conditions
за авторством: Skorokhod, Y., та інші
Опубліковано: (2004)

Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)

Light absorption by excited exciton states in layered InSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2002)