Зображення обкладинки

Electrical properties of fast cooled InSe single crystals

Influence of fast cooling on electrical properties of n-InSe single crystals is investigated for an ingot grown by the Bridgman method. Electrical characteristics and their anisotropy are investigated in the temperature range 80 to 410 K. It is found that fast cooling, as...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2008
Автори:	Zaslonkin, A.V., Kovalyuk, Z.D., Mintyanskii, I.V., Savitskii, P.I.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118664
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Electrical properties of fast cooled InSe single crystals / A.V. Zaslonkin, Z.D. Kovalyuk, I.V. Mintyanskii, P.I. Savitskii // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 1. — С. 54-58. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Electrical properties of fast cooled inse single crystals
за авторством: Zaslonkin, A.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Structure and electrical properties of In₂Se₃Mn layered crystals
за авторством: Kaminskii, V.M., та інші
Опубліковано: (2009)

Electrical and photoelectrical properties of n-InSe/p-CuInSe₂ optical contact
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2004)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2011)

Electrical properties of photosensitive heterostructures n-FeS₂/p-InSe
за авторством: Tkachuk, I.G., та інші
Опубліковано: (2018)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledzyuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2012)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2011)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Physical properties of layered FeIn₂Se₄ single crystals
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2013)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2004)

The electric field gradient asymmetry parameter in InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
за авторством: Kovalyuk, Z.D., та інші
Опубліковано: (2022)

Investigation of InS-InSe heterojunctions prepared using sulphurization of p-InSe
за авторством: Z. D. Kovalyuk, та інші
Опубліковано: (2012)

Low-temperature vibration characteristics in InSe single crystals intercalated by Ni
за авторством: A. Baran, та інші
Опубліковано: (2015)

Low-temperature vibration characteristics in InSe single crystals intercalated by Ni
за авторством: Baran, A., та інші
Опубліковано: (2015)

Structure similarity and lattice dynamics of InSe and In₄Se₃ crystals
за авторством: Bercha, D.M., та інші
Опубліковано: (2000)

Sheet resistance and surface topology time dynamics of intrinsic oxide film on InSe crystals
за авторством: V. M. Katerynchuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Electrical properties of InSe and Bi2Te3 layered single crystals intercalated with C3H8O3
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2015)

Effect of the electron irradiation on electrical properties of n-InSe and their anisotropy
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2018)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2004)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)

The effect of the introduction of NI2+ ions on the properties of InSe layered crystals
за авторством: V. B. Boledziuk, та інші
Опубліковано: (2014)

Електричні властивості інтеркальованих шаруватих кристалів In2Se3
за авторством: Boledzyuk, V.B., та інші
Опубліковано: (2022)

Layered crystals FeIn₂Se₄, In₄Se₃ and heterojunctions on their basis
за авторством: Kushnir, B.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Light absorption by excited exciton states in layered InSe crystals
за авторством: Zhirko, Yu.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
за авторством: Katerinchuk, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)

Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
за авторством: Vora, A.M.
Опубліковано: (2020)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)

Diluted magnetic layered semiconductor InSe:Mn with high Curie temperature
за авторством: Lashkarev, G.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Photoelectric properties of In₂O₃-InSe heterostructure with nanostructured oxide
за авторством: Katerynchuk, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
за авторством: Pokladok, N. T., та інші
Опубліковано: (2013)

Photoelectric properties of single crystals Ag₃In₅Se₉
за авторством: Huseynov, A.H., та інші
Опубліковано: (2006)

Immersion zone irradiated with n-InSe electrons
за авторством: I. V. Mintianskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

Optical properties of GaSe semiconducting crystals intercalated by CdTe nanoparticles
за авторством: Khalavk, Y.B., та інші
Опубліковано: (2009)

Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристаллах InSe и InSe<Sn>
за авторством: Мустафаева, С.Н., та інші
Опубліковано: (2010)