Зображення обкладинки

Electrical properties of fast cooled InSe single crystals

Influence of fast cooling on electrical properties of n-InSe single crystals is
 investigated for an ingot grown by the Bridgman method. Electrical characteristics and
 their anisotropy are investigated in the temperature range 80 to 410 K. It is found that
 fast cooling, as...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2008
Автори: Zaslonkin, A.V., Kovalyuk, Z.D., Mintyanskii, I.V., Savitskii, P.I.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2008
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118664
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Electrical properties of fast cooled InSe single crystals / A.V. Zaslonkin, Z.D. Kovalyuk, I.V. Mintyanskii, P.I. Savitskii // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2008. — Т. 11, № 1. — С. 54-58. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси