Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene formed on semiconductor substrate. Simple analytical model
In this paper we have investigated thermoelectric effect in the epitaxial graphene on a semiconductor substrate
 using a simple model. We have obtained the expressions for static conductance and thermopower of the
 epitaxial graphene. The thermopower of the epitaxial graphene can be...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Физика низких температур |
|---|---|
| Дата: | 2013 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2013
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118667 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Thermoelectric effect in single layer epitaxial graphene
 formed on semiconductor substrate.
 Simple analytical model / Z.Z. Alisultanov // Физика низких температур. — 2013. — Т. 39, № 7. — С. 767–770. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | In this paper we have investigated thermoelectric effect in the epitaxial graphene on a semiconductor substrate
using a simple model. We have obtained the expressions for static conductance and thermopower of the
epitaxial graphene. The thermopower of the epitaxial graphene can be abnormally large near the edges of the
semiconductor band gap.
|
|---|---|
| ISSN: | 0132-6414 |