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Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon

We study the influence of initial defects in high-resistance epitaxial silicon layers of high-resistance epitaxial silicon structures on defect formation processes at ion boron doping. The method of reverse voltage-capacitance characteristics revealed two maxima of dopant concentration in epitaxi...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2009
Hauptverfasser:	Smyntyna, V.A., Sviridova, O.V.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118682
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon / V.A. Smyntyna, O.V. Sviridova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 110-115. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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