Зображення обкладинки

Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon

We study the influence of initial defects in high-resistance epitaxial silicon layers of high-resistance epitaxial silicon structures on defect formation processes at ion boron doping. The method of reverse voltage-capacitance characteristics revealed two maxima of dopant concentration in epitaxi...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2009
Автори:	Smyntyna, V.A., Sviridova, O.V.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118682
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Influence of initial defects on defect formation process in ion doped silicon / V.A. Smyntyna, O.V. Sviridova // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 110-115. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: Smyntyna, V.A., та інші
Опубліковано: (2010)

Genesis of initial defects in the process of monocrystalline silicon oxidation with subsequent scribing
за авторством: V. A. Smyntyna, та інші
Опубліковано: (2010)

Diffusion model of defect formation in silicon under light ion implantation
за авторством: Voznyy, M.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: S. I. Vlaskina, та інші
Опубліковано: (2014)

Nanostructures in lightly doped silicon carbide crystals with polytypic defects
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of Mn doping on ZnO defect-related emission
за авторством: T. R. Stara, та інші
Опубліковано: (2017)

Influence of Mn doping on ZnO defect-related emission
за авторством: Stara, T.R., та інші
Опубліковано: (2017)

TlBr: Carrier transport as influenced by defects and Tl ion migration
за авторством: Kazukauskas, V., та інші
Опубліковано: (2010)

The Influence of Plastic Deformation on the Defect-Impurity State and Magnetic Properties of Silicon (Cz-Si)
за авторством: V. A. Makara, та інші
Опубліковано: (2013)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: G. P. Gaidar, та інші
Опубліковано: (2011)

The influence of surface defects on the pinhole formation in silicide thin film
за авторством: Belousov, I.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Acoustic-emission method for controlling the defect-formation process in light-emitting structures
за авторством: Lyashenko, O.V., та інші
Опубліковано: (2010)

Evolution of defective structure of the irradiated silicon during natural ageing
за авторством: Fodchuk, I.M., та інші
Опубліковано: (2003)

Generation of the Al(111) Surface Defects under Influence of Low-Energy Ar+ Ions
за авторством: M. O. Vasyliev, та інші
Опубліковано: (2014)

Influence of Mg content on defect-related luminescence of undoped and doped wurtzite MgZnO ceramics
за авторством: I. V. Markevich, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of Mg content on defect-related luminescence of undoped and doped wurtzite MgZnO ceramics
за авторством: Markevich, I.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Comprehensive investigation of defects in highly perfect silicon single crystals
за авторством: Prokopenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Photoelectrical properties of defects in La-doped TlInS2 layered crystal
за авторством: M. Seyidov, та інші
Опубліковано: (2014)

Exciton-induced lattice defect formation
за авторством: Savchenko, E.V., та інші
Опубліковано: (2003)

Effect of the crystal structure defectiveness on magnetic state of sodium-doped lanthanum manganites
за авторством: Tovstolytkin, A.I., та інші
Опубліковано: (2004)

Recombination parameters of point defects in dislocation-free silicon single crystals
за авторством: Talanin, V.I., та інші
Опубліковано: (2006)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: Prikhodko, D., та інші
Опубліковано: (2019)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: D. Prikhodko, та інші
Опубліковано: (2019)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Formation of nanocrystalline silicon in tin-doped amorphous silicon films
за авторством: R. M. Rudenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of zirconium doping on the properties of defect titanium dioxide films: quantum chemical calculations
за авторством: O. V. Smirnova, та інші
Опубліковано: (2019)

Acoustic-emission method of control of defects-formation process in light-emitting structures
за авторством: O. V. Lyashenko, та інші
Опубліковано: (2010)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: Lee, S.W., та інші
Опубліковано: (2010)

Influence of structural defects on photoconductivity of zinc diphosphide
за авторством: Kudin, A.P., та інші
Опубліковано: (2001)

Influence of the pipe defect on its magnetic field
за авторством: R. M. Dzhala, та інші
Опубліковано: (2018)

Devices for detection of defects at early stages of their initiation at determination of technical condition of mechanisms
за авторством: R. M. Yuzefovych, та інші
Опубліковано: (2020)

Influence of diamond defects on workability drill bits
за авторством: A. M. Isonkin, та інші
Опубліковано: (2017)

Magnetic-Field-Stimulated Modification of Surface Charge and Defect Content in Silicon for Solar Energy Storage
за авторством: Makara, V.A., та інші
Опубліковано: (2014)

Study of factors influencing the formation of weld defects in non-vacuum electron beam welding
за авторством: U. Rajzgen, та інші
Опубліковано: (2012)

Silicon carbide defects and luminescence centers in current heated 6H-SiC
за авторством: S. W. Lee, та інші
Опубліковано: (2010)

Formation and activation of defects in films of AIVBVI compounds in the process of growing from vapor phase
за авторством: Saliy, Ya.P., та інші
Опубліковано: (2008)

Influence of boron doping on the photosensitivity of cubic silicon carbide
за авторством: Rodionov, V.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H
за авторством: R. G. Ikramov, та інші
Опубліковано: (2019)

Density of defect states and spectra of defect absorption in a-Si:H
за авторством: R. G. Ikramov, та інші
Опубліковано: (2019)