Electrophysical properties of SmxPb₁₋xTe solid solutions
The electrophysical properties of SmxPb₁₋xTe (x ≤ 0.08) solid solutions have
 been investigated. The electric conductivity, Hall coefficient and Hall mobility of charge
 carriers in the temperature range 80 to 800 К have been measured. The mechanism of
 charge carrier scatter...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2009 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118688 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Electrophysical properties of SmxPb₁₋xTe solid solutions / H.A. Hasanov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 135-137. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Solid solutions of CdxHg₁₋xTe:V:Mn, CdxHg₁₋xTe:Ti:Mn (x = 0.9 – 0.95): growth and properties
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Paranchych, S.Yu., та інші
Опубліковано: (2004)
Electrophysical properties of BaNd2−xSmxIn2O7 with slab perovskite-like structure
за авторством: Y. A. Titov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Y. A. Titov, та інші
Опубліковано: (2024)
Solid state doping of CdxHg₁₋xTe epitaxial layers with elements of V group
за авторством: Vlasov, A.P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Vlasov, A.P., та інші
Опубліковано: (2006)
Properties and application of ultrasonic Lamb waves in CdxHg₁₋xTe plates
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Lysiuk, I.O., та інші
Опубліковано: (2002)
Atomic defects and physical-chemical properties of PbTe-InTe solid solutions
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Freik, D.M., та інші
Опубліковано: (2003)
ЕЛЕКТРОПРОВІДНІСТЬ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Pb0,86‑xSmxSn1,14F4+x
за авторством: Pohorenko, Yuliia, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Pohorenko, Yuliia, та інші
Опубліковано: (2021)
Peculiarities of the concentration dependences of structural and thermoelectric properties in solid solutions PbTe-PbSe
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2013)
Thermoelectric properties of PbTe-Bi2Te3 solid solutions thin films
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: D. M. Freik, та інші
Опубліковано: (2013)
Isothermal growth kinetics of CdxHg₁₋xTe LPE layers
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Moskvin, P.P., та інші
Опубліковано: (2007)
Interaction of the ZnxCd1-xTe and Cd0.2Hg0.8Te solid solutions with NaNO2–NI–lactic acid etchants
за авторством: R. A. Denisjuk, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: R. A. Denisjuk, та інші
Опубліковано: (2016)
Optimization of bromine-emerging etching compositions K₂Cr₂O₇-HBr-ethylene glycol for forming a polished surface of CdTe, ZnxCd₁-xTe and CdxHg₁-xTe
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Chayka, M.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Chemical etching of CdTe, CdₓHg₁-ₓTe, ZnₓCd₁-ₓTe and Te in the HNO₃-HCl-citric acid
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2005)
Hall mobility of charge carriers in films of (PbX)₁₋x (Sm₂X₃)x semiconductors formed on porous silicon
за авторством: Hasanov, H.A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Hasanov, H.A., та інші
Опубліковано: (2008)
Formation of the ZnxCd1-xTe solid solution single crystal polished surfaces with the HNO3–HBr–ethylene glycol etchants
за авторством: Tomashik, V. M., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Tomashik, V. M., та інші
Опубліковано: (2008)
Peculiarities of concentration dependences of thermal conductivity in (PbTe)1-x (Bi2Te3)x semiconductor solid solutions
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2014)
Polishing etchant compositions for the chemical treatment of the PbTe and Pb1–xSnxTe solid solutions single crystals and methods for their processing. Review
за авторством: G. P. Malanych
Опубліковано: (2017)
за авторством: G. P. Malanych
Опубліковано: (2017)
Formation of polished surface of PbTe and Pb1-xSnxTe semiconductor plates PbTe y Pb1–xSnxTe
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: G. P. Malanich, та інші
Опубліковано: (2018)
Spectral Properties of Mn+CdS-nCdShTe1-x-pZnhCd1-xTe-Mo structures for an injection photodetector
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Sh. A. Mirsagatov, та інші
Опубліковано: (2013)
Определение характеристических параметров n-CdxHg₁₋xTe по квантовым осцилляциям
за авторством: Баширов, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)
за авторством: Баширов, Р.И., та інші
Опубліковано: (1998)
Concentration anomaly of heat capacity in PbTe based solid solutions
за авторством: Rogacheva, E.I., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Rogacheva, E.I., та інші
Опубліковано: (2002)
Elastic properties of CdTe₁₋ₓSeₓ (x = 1/16) solid solution: First principles study
за авторством: Ilchuk, H.A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Ilchuk, H.A., та інші
Опубліковано: (2020)
Synthesis and properties of semiconductor solid solutions (inSb)₁₋x(CdTe)x
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Venger, E.F., та інші
Опубліковано: (2006)
Synthesis, characterization and electrical properties of Pb(₈₋x)Na₂Ndx(VO₄)₆O(x/₂) solid solutions
за авторством: Getman, E.I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Getman, E.I., та інші
Опубліковано: (2014)
Chemical dynamic polishing CdTe and CdxHg₁–xTe single crystals by using solutions of H₂O₂–HCl–tartaric acid system
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Tomashik, Z.F., та інші
Опубліковано: (2004)
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in р⁺–р–р⁻ structures of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Ismayilov, N.J., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ismayilov, N.J., та інші
Опубліковано: (2018)
Deformation-Induced Interfacial Interaction in Elastically-Plastically Deformed Single Crystals of CdxHg₁₋xTe
за авторством: Koman, B.P.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Koman, B.P.
Опубліковано: (2017)
R-band observations of the X-ray transients XTE J1859+226 and XTE J1118+480
за авторством: Guziy, S., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Guziy, S., та інші
Опубліковано: (2013)
R-band observations of the X-ray transients XTE J1859+226 and XTE J1118+480
за авторством: Guziy, S., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Guziy, S., та інші
Опубліковано: (2001)
Electrophysical properties of granulated solid solutions in Co and Ag based film systems
за авторством: Yu. M. Shabelnyk, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Yu. M. Shabelnyk, та інші
Опубліковано: (2012)
Формирование полированной поверхности монокристаллов твердых растворов ZnxCd₁-xTe травителями HNO₃–HBr–этиленгликоль
за авторством: Томашик, В.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Томашик, В.Н., та інші
Опубліковано: (2008)
Nanodimensional formations on the CdTe and ZnₓCd₁₋ₓTe surfaces at chemical etching
за авторством: Tomashyk, Z.F., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Tomashyk, Z.F., та інші
Опубліковано: (2008)
Polishing etchant compositions for the chemical treatment of the PbTe and Pb₁₋ₓSnₓTe solid solutions single crystals and methods for their processing. Review
за авторством: Malanych, G.P.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Malanych, G.P.
Опубліковано: (2017)
Thermoelectric properties of cold pressed samples of semiconductor (Bi₁₋xSbx)₂Te₃ solid solutions
за авторством: Martynova, K.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Martynova, K.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Синтез та особливості будови шаруватої структури SrLa₁₋xSmxInO₄
за авторством: Тітов, Ю.О., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Тітов, Ю.О., та інші
Опубліковано: (2019)
Phase analysis and electrophysical properties of InGaTe2
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: E. M. Godzhayev, та інші
Опубліковано: (2014)
Recombination and long-term relaxation of photoconductivity in r+–r–r– structures of CdxHg1–xTe (0.24 ≤ x ≤ 0.29)
за авторством: N. J. Ismayilov, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: N. J. Ismayilov, та інші
Опубліковано: (2018)
Synthesis and structural features of slab structure SrLa1–xSmxInO4
за авторством: Yu. O. Titov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Yu. O. Titov, та інші
Опубліковано: (2019)
Paraelectric properties of PbTe doped with Ga
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Tetyorkin, V., та інші
Опубліковано: (2000)
Influence of impurities and structural defects on electrophysical and detector properties of CdTe and CdZnTe
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. I. Kondrik, та інші
Опубліковано: (2019)
Thermoelectric and mechanical properties of (Bi1-xSbx)2Te3 (x = 0 – 0.07) semiconductor solid solutions
за авторством: T. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: T. I. Rogacheva, та інші
Опубліковано: (2016)