Зображення обкладинки

Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system

A region of glass formation was found during melt quenching from 1273 K in the AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂. system. It is localized along the binary GeSe₂- GeS₂ system. Characteristic parameters (Tg, Tc, Tm) were determined for the glassy alloys, and Tgr and KG were calculated using them. T...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2009
Автори: Halyan, V.V., Shevchuk, M.V., Davydyuk, G.Ye., Voronyuk, S.V., Kevshyn, A.H., Bulatetsky, V.V.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118689
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Glass formation region and X-ray analysis of the glassy alloys in AgGaSe₂+GeS₂<=>AgGaS₂+GeSe₂ system / V.V. Halyan, M.V. Shevchuk, G.Ye. Davydyuk, S.V. Voronyuk, A.H. Kevshyn, V.V. Bulatetsky // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 2. — С. 138-142. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси