Зображення обкладинки

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts

We investigated temperature dependence of contact resistance of an Au−Ti−Pd₂Si ohmic contact to heavily doped n⁺ -Si. The contact resistance increases with temperature owing to conduction through the metal shunts. In this case, the limiting process is diffusion input of electrons to the metal sh...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2010
Автори:	Belyaev, A.E., Boltovets, N.S., Konakova, R.V., Kudryk, Ya.Ya., Sachenko, A.V., Sheremet, V.N.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118737
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts / A.E. Belyaev, N.S. Boltovets, R.V. Konakova, Ya.Ya. Kudryk, A.V. Sachenko, V.N. Sheremet // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 4. — С. 436-438. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au-Ti-Pd₂Si-p⁺ ₋Si ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2010)

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2010)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2016)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n⁺ -GaN ohmic contacts
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2013)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n⁺ -n doping step
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
за авторством: V. V. Basanets, та інші
Опубліковано: (2015)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si in IMPATT diodes
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2016)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: Boltovets, M.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Effect of microwave radiation on I-V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)

Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2019)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
за авторством: M. S. Boltovets, та інші
Опубліковано: (2010)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2019)

Metrological aspects of researching the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
за авторством: Sheremet, V.N.
Опубліковано: (2014)

Ohmic contacts to Hall sensors based on n-InSb-GaAs(i) heterostructures
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Kudryk, Ya.Ya., та інші
Опубліковано: (2019)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
за авторством: A. V. Sachenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)

Metrological aspects of studying the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
за авторством: V. N. Sheremet
Опубліковано: (2014)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)

Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Effect of microwave treatment on current flow mechanism in ohmic contacts to GaN
за авторством: Sheremet, V.N.
Опубліковано: (2013)

Heat-resistant ohmic and barrier contacts for GaAs-based microwave devices
за авторством: Ivanov, V.N., та інші
Опубліковано: (2003)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)

Development of high-stable contact systems to gallium nitride microwave diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2007)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2019)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
за авторством: Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)

Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)

New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)