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Electrical properties of n-SnS₂/n-CdIn₂Te₄ heterostructure

Using the method of deposition over the optical contact, the authors created nSnS2/n-CdIn₂Te₄ heterojunction and investigated temperature evolution of its currentvoltage characteristics under the forward bias U ≤ 3 V. Analyzing temperature dependence of the curves obtained...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2010
Hauptverfasser:	Gorley, P.M., Grushka, Z.M., Grushka, O.G., Gorley, P.P., Zabolotsky, I.I.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2010
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118739
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Electrical properties of n-SnS₂/n-CdIn₂Te₄ heterostructure / P.M. Gorley, Z.M. Grushka, O.G. Grushka, P.P. Gorley, I.I. Zabolotsky // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2010. — Т. 13, № 4. — С. 444-447. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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