О химической связи и распределении гелия в ГПУ бериллии

• Datum: 2011
• Hauptverfasser: Бакай, А.С., Тимошевский, А.Н., Янчицкий, Б.З.
• Format: Artikel
• Sprache: Russian
• Veröffentlicht: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2011
• Schriftenreihe: Физика низких температур
• Schlagworte: Теория электронных свойств
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118771
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: О химической связи и распределении гелия в ГПУ бериллии / А.С. Бакай, А.Н. Тимошевский, Б.З. Янчицкий // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 9-10. — С. 992–1000. — Бібліогр.: 18 назв. — рос.

Методами ab-initio моделирования исследованы плотности электронных состояний и пространственное распределение электронной плотности в системе ГПУ бериллий–гелий. Обнаружено, что вопреки предсказаниям модели «желе» энергетически наиболее выгодной междоузельной конфигурацией является та, в которой атом гелия расположен в наиболее стесненной позиции — на треугольной грани двух смежных тетраэдров, где зарядовая плотность электронов бериллия максимальна. Установлено, что это происходит благодаря гибридизации электронных состояний гелия и ближайшего атома бериллия. Энергия связи гелия составляет около 5,6 эВ. Детально изучено пространственное распределение зарядовой плотности. Выполнен расчет энергии растворения атома гелия в ГПУ бериллии. Рассмотрены случаи расположения гелия в узлах решетки, в различных междоузельных положениях и в дивакансионных комплексах. Установлено, что внедренный в ГПУ бериллий гелий, способствует формированию дивакансий.