Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия

Определены свойства электронных пузырьков, прижатых силами электростатического изображения к границе раздела жидкого ³He с насыщенным раствором ⁴He–³He в области низких температур. Равновесное состояние таких объектов характеризуется энергией связи 6,5 К и осцилляторным спектром первых возбуждений с...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Физика низких температур
Дата:2011
Автори: Дюгаев, А.М., Григорьев, П.Д., Лебедева, Е.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2011
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118777
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Отрицательные ионы на границе раздела растворов жидкого гелия / А.М. Дюгаев, П.Д. Григорьев, Е.В. Лебедева // Физика низких температур. — 2011. — Т. 37, № 9-10. — С. 1008–1010. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:Определены свойства электронных пузырьков, прижатых силами электростатического изображения к границе раздела жидкого ³He с насыщенным раствором ⁴He–³He в области низких температур. Равновесное состояние таких объектов характеризуется энергией связи 6,5 К и осцилляторным спектром первых возбуждений с частотой 0,6⋅10¹⁰ с⁻¹. Смещающее электрическое поле E = 100 В/cм при температуре T = 0,2 К приводит к распаду связанного пузырькового состояния со временем жизни τ ≈ 1 с. Экспериментальное изучение пузырьковых электронных состояний может оказаться полезным для определения свойств границы раздела растворов жидкого гелия. Визначено властивості електронних бульбашок, притиснутих силами електростатичного зображення до межи поділу рідкого ³He з насиченим розчином ⁴He–³He в області низьких температур. Рівноважний стан таких об'єктів характеризується енергією зв'язку 6,5 К та осциляторним спектром перших збуджень із частотою 0,6⋅10¹⁰ с⁻¹. Електричне поле E = 100 В/см, що зміщає, при температурі T = 0,2 К приводить до розпаду зв'язаного бульбашкового стану з часом життя τ ≈ 1 с. Експериментальне вивчення бульбашкових електронних станів може виявитися корисним для визначення властивостей межи розподілу розчинів рідкого гелію. The properties of electron bubbles localized at the interface between ³He and ³He–⁴He mixture by polarization attraction force have been studied in a lowtemperature region. The equilibrium state of such objects is characterized by a binding energy of 6.5 K and an oscillating spectrum of the first excitations with a frequency 0.6⋅10¹⁰ s⁻¹. Shifting electric field E = 100 V/cm at T = 0.2 K leads to decay of the binding bubble state with lifetime τ ≈ 1 s. The experimental study of bubble electron states may be useful for testing liquid helium mixtures interface.
ISSN:0132-6414