Зображення обкладинки

On methodology of measuring parameters with the increased sensitivity to residual or irradiation induced inhomogeneities in semiconductors

Within the frame of theory of anisotropic scattering, it was studied the relation of values for specific resistance changes under the axial elastic deformations for manyvalley semiconductors, n-Ge and n-Si. The aspect ratio between values of the saturated specific resistance ρX (∞)strain for s...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2009
Автор:	Gaidar, G.P.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118830
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	On methodology of measuring parameters with the increased sensitivity to residual or irradiation induced inhomogeneities in semiconductors / G.P. Gaidar // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 324-327. — Бібліогр.: 7 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Changes in Hall parameters after γ-irradiation (⁶⁰Со) of n-Ge
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2011)

Nuclear irradiation-induced superconductivity in the binary semiconductor InAs
за авторством: Kаrpenko, А.Ya., та інші
Опубліковано: (2003)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2014)

Changes in Hall parameters after -irradiation (60So) of n-Ge
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2011)

Influence of γ-irradiation (⁶⁰Со) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2012)

Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (⁶⁰Co) n-Si crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)

Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and -irradiation (60Co) on electrophysical parameters of n-Ge Sb
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2014)

Increasing immunity to noise and industrial interference of highly sensitive measuring channels of the sensor systems
за авторством: V. G. Melnyk, та інші
Опубліковано: (2021)

Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors
за авторством: Slipokurov, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors
за авторством: V. S. Slipokurov, та інші
Опубліковано: (2015)

Methodological aspects of measuring the resistivity of contacts to high-resistance semiconductors
за авторством: Slipokurov, V.S., та інші
Опубліковано: (2015)

Radiation-induced effects in silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2019)

Pyroelectric response of inhomogeneous ferroelectric-semiconductor films
за авторством: Morozovska, A.N.
Опубліковано: (2007)

The optical inhomogeneities in water under the laser irradiation
за авторством: V. V. Goncharuk, та інші
Опубліковано: (2014)

The kinetic of point defect transformation during the annealing process in electron-irradiated silicon
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2011)

Automated hardware-softw are system for measurement of thermoelectric parameters of semiconductor materials
за авторством: B. S. Dzundza
Опубліковано: (2018)

Automated hardware-softw are system for measurement of thermoelectric parameters of semiconductor materials
за авторством: B. S. Dzundza
Опубліковано: (2018)

Problems in measurement of integrated sensitivity of photodetectors
за авторством: I. V. Doktorovich, та інші
Опубліковано: (2015)

Semiconductor surfaces structurization induced by ultrasound
за авторством: Savkina, R.K.
Опубліковано: (2012)

Sensitivity of an induced system on a line segment
за авторством: O. V. Rybak
Опубліковано: (2016)

Melt instabilities on semiconductor surfaces induced by laser radiation
за авторством: Bonchik, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2000)

Ferromagnetism induced in diluted A₁₋xMnxB semiconductors
за авторством: Bryksa, V.P., та інші
Опубліковано: (2004)

Increase of sensitivity of acoustic technique of NDT of materials
за авторством: M. O. Karpash
Опубліковано: (2011)

Increasing sensitivity of sensors based on surface plasmon resonance
за авторством: T. S. Lebiedieva, та інші
Опубліковано: (2016)

A HIGH SENSITIVE MICROWAVE MEASURING DEVICE OF THE MOISTURE CONTENT IN THE NON-POLAR DIELECTRIC LIQUIDS BASED ON AN INHOMOGENEOUS STEP COAXIAL RESONATOR
за авторством: Rudakov, V. V., та інші
Опубліковано: (2016)

Probe measurements of parameters of dense gasmetallic plasma in the inhomogeneous magnetic field of a planar magnetron discharge
за авторством: Chunadra, А.G., та інші
Опубліковано: (2018)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)

Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons
за авторством: Dolgolenko, A.P., та інші
Опубліковано: (2007)

Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P., та інші
Опубліковано: (2017)

Investigations of the deep-level parameters in semiconductors
за авторством: I. G. Tursunov
Опубліковано: (2017)

Investigations of the deep-level parameters in semiconductors
за авторством: I. G. Tursunov
Опубліковано: (2017)

Influence of -irradiation (60So) on the concentration and mobility of carriers in Ge and Si single crystals of n-type
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2012)

Increasing the sensitivity and metrological reliability of a differential conductometric biosensor system
за авторством: V. G. Melnyk, та інші
Опубліковано: (2021)

Irradiation-induced changes in vibration structure of films of squaraine dye
за авторством: Pavlenko, O.L., та інші
Опубліковано: (2017)

Transient absorption of gold nanorods induced by femtosecond laser irradiation
за авторством: Y. Shynkarenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Transient absorption of gold nanorods induced by femtosecond laser irradiation
за авторством: Y. Shynkarenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Features of optical properties of ferromagnetic semiconductors with dynamic laser-induced gratings
за авторством: Semchuk, O.Yu., та інші
Опубліковано: (2001)

Symmetry of induced polar states in noncentral crystals under inhomogeneous heating
за авторством: Kosorotov, V.F., та інші
Опубліковано: (2000)

The impact of heat treatment on the magnetic sensitivity of irradiated by electrons single crystals n-Ge
за авторством: Luniov, S.V., та інші
Опубліковано: (2019)