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Photothermal analysis of heterogeneous semiconductor structures under a pulse laser irradiation

The analysis of photothermal conversion in materials with modified properties
 of surface layer was made in this work. Influence of both physical and geometrical
 nonlinearities on the process of heat distribution was estimated.

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:2009
Hauptverfasser: Burbelo, R., Isaiev, M., Kuzmich, A.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/118844
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Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Photothermal analysis of heterogeneous semiconductor structures
 under a pulse laser irradiation / R. Burbelo, M. Isaiev, A. Kuzmich // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 4. — С. 403-405. — Бібліогр.: 4 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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